[发明专利]微波辐射制备吉米奇表面活性剂改性蒙脱土的方法

权利要求书

1.一种微波辐射制备吉米奇表面活性剂改性蒙脱土的方法，其特征在于以蒙脱土为原料，以吉米奇表面活性剂为改性剂，在微波辐射条件下，发生阳离子交换反应，经过分离提纯后，冷冻干燥得到改性蒙脱土。

2.根据权利要求1所述的微波辐射制备吉米奇表面活性剂改性蒙脱土的方法，其特征在于所述蒙脱土为钠基型蒙脱土，阳离子交换量为80～120meq/100g。

3.根据权利要求1所述的微波辐射制备吉米奇表面活性剂改性蒙脱土的方法，其特征在于具体步骤如下：将蒙脱土分散在去离子水中，配成质量分数为0.2％～2.0％的蒙脱土悬浮液，在室温下搅拌16h～24h后置于微波反应器中，调节微波辐射功率为400W～800W，辐射温度为60℃～80℃；将质量为0.1～0.5倍蒙脱土阳离子交换量的吉米奇表面活性剂溶于与去离子水等体积的体积浓度为20％～100％的异丙醇中，得混合液；将所述混合液在1～5分钟内滴入搅拌下的蒙脱土悬浮液中，反应5min～30min后用体积浓度为50％的异丙醇离心洗涤至无Cl^-或Br^-，冷冻干燥后得到吉米奇表面活性剂改性蒙脱土。

4.根据权利要求1所述的微波辐射制备吉米奇表面活性剂改性蒙脱土的方法，其特征在于所述吉米奇表面活性剂为双烷基链吉米奇表面活性剂。

5.根据权利要求4所述的微波辐射制备吉米奇表面活性剂改性蒙脱土的方法，其特征在于所述双烷基链吉米奇表面活性剂为丙撑基双(十八烷基二甲基氯化铵)、丙撑基双(十二烷基二甲基氯化铵)、乙撑基双(十八烷基二甲基溴化铵)或乙撑基双(十二烷基二甲基溴化铵)中的任一种。