[发明专利]具有电压极性转换的功率开关有效

专利信息
申请号: 201110009067.8 申请日: 2011-01-10
公开(公告)号: CN102594317A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 曹先国 申请(专利权)人: 曹先国
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 四川省绵阳市*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 具有 电压 极性 转换 功率 开关
【权利要求书】:

1.一种具有电压极性转换的功率开关,包括:

功率开关管电路和电压维持与采样开关电路两部分,其中功率开关管电路包括:

第一P型金属氧化物硅MOS晶体管M1,它的源极与节点A1相连,它的漏极与节点Vo+相连,它的栅极与控制信号VC1相连;

第二P型金属氧化物硅MOS晶体管M2,它的源极与节点A1相连,它的漏极与节点Vo-相连,它的栅极与控制信号VC2相连;

第三N型金属氧化物硅MOS晶体管M3,它的源极与节点B1相连,它的漏极与节点Vo+相连,并且与所述第一P型金属氧化物硅MOS晶体管M1的漏极相连,它的栅极与控制信号VC3相连;和

第四N型金属氧化物硅MOS晶体管M4,它的源极与节点B1相连,它的漏极与节点Vo-相连,并且与所述第二P型金属氧化物硅MOS晶体管M2的漏极相连,它的栅极与控制信号VC4相连。

其中电压维持与采样开关电路包括:

第五P型金属氧化物硅MOS晶体管M5,它的源极与节点A2相连,它的漏极与节点Vo+相连,并且与所述第一P型金属氧化物硅MOS晶体管M1的漏极相连,同时与所述第三N型金属氧化物硅MOS晶体管M3的漏极相连,它的栅极与控制信号VC5相连;

第六P型金属氧化物硅MOS晶体管M6,它的源极与节点A2相连,它的漏极与节点Vo-相连,并且与所述第二P型金属氧化物硅MOS晶体管M2的漏极相连,同时与所述第四N型金属氧化物硅MOS晶体管M4的漏极相连,它的栅极与控制信号VC6相连;

第七N型金属氧化物硅MOS晶体管M7,它的源极与节点B2相连,它的漏极与节点Vo+相连,并且与所述第一P型金属氧化物硅MOS晶体管M1的漏极相连,同时与所述第三N型金属氧化物硅MOS晶体管M3的漏极相连,同时与所述第五P型金属氧化物硅MOS晶体管M5的漏极相连,它的栅极与控制信号VC7相连;和第八N型金属氧化物硅MOS晶体管M8,它的源极与节点B2相连,它的漏极与节点Vo-相连,并且与所述第二P型金属氧化物硅MOS晶体管M2的漏极相连,同时与所述第四N型金属氧化物硅MOS晶体管M4的漏极相连,同时与所述第六P型金属氧化物硅MOS晶体管M6的漏极相连,它的栅极与控制信号VC8相连。

2.根据权利要求1所述的具有电压极性转换的功率开关,其特征在于,所述功率开关管电路中的第一P型金属氧化物硅MOS晶体管M1、第二P型金属氧化物硅MOS晶体管M2、第三N型金属氧化物硅MOS晶体管M3和第四N型金属氧化物硅MOS晶体管M4的宽长比W/L,比所述电压维持与采样开关电路中的第五P型金属氧化物硅MOS晶体管M5、第六P型金属氧化物硅MOS晶体管M6、第七N型金属氧化物硅MOS晶体管M7和第八N型金属氧化物硅MOS晶体管M8的宽长比W/L大,约在1倍至1000000倍之间,过电流能力也强1倍至1000000倍之间。

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