[发明专利]具有电压极性转换的功率开关有效
申请号: | 201110009067.8 | 申请日: | 2011-01-10 |
公开(公告)号: | CN102594317A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 曹先国 | 申请(专利权)人: | 曹先国 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 四川省绵阳市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 电压 极性 转换 功率 开关 | ||
1.一种具有电压极性转换的功率开关,包括:
功率开关管电路和电压维持与采样开关电路两部分,其中功率开关管电路包括:
第一P型金属氧化物硅MOS晶体管M1,它的源极与节点A1相连,它的漏极与节点Vo+相连,它的栅极与控制信号VC1相连;
第二P型金属氧化物硅MOS晶体管M2,它的源极与节点A1相连,它的漏极与节点Vo-相连,它的栅极与控制信号VC2相连;
第三N型金属氧化物硅MOS晶体管M3,它的源极与节点B1相连,它的漏极与节点Vo+相连,并且与所述第一P型金属氧化物硅MOS晶体管M1的漏极相连,它的栅极与控制信号VC3相连;和
第四N型金属氧化物硅MOS晶体管M4,它的源极与节点B1相连,它的漏极与节点Vo-相连,并且与所述第二P型金属氧化物硅MOS晶体管M2的漏极相连,它的栅极与控制信号VC4相连。
其中电压维持与采样开关电路包括:
第五P型金属氧化物硅MOS晶体管M5,它的源极与节点A2相连,它的漏极与节点Vo+相连,并且与所述第一P型金属氧化物硅MOS晶体管M1的漏极相连,同时与所述第三N型金属氧化物硅MOS晶体管M3的漏极相连,它的栅极与控制信号VC5相连;
第六P型金属氧化物硅MOS晶体管M6,它的源极与节点A2相连,它的漏极与节点Vo-相连,并且与所述第二P型金属氧化物硅MOS晶体管M2的漏极相连,同时与所述第四N型金属氧化物硅MOS晶体管M4的漏极相连,它的栅极与控制信号VC6相连;
第七N型金属氧化物硅MOS晶体管M7,它的源极与节点B2相连,它的漏极与节点Vo+相连,并且与所述第一P型金属氧化物硅MOS晶体管M1的漏极相连,同时与所述第三N型金属氧化物硅MOS晶体管M3的漏极相连,同时与所述第五P型金属氧化物硅MOS晶体管M5的漏极相连,它的栅极与控制信号VC7相连;和第八N型金属氧化物硅MOS晶体管M8,它的源极与节点B2相连,它的漏极与节点Vo-相连,并且与所述第二P型金属氧化物硅MOS晶体管M2的漏极相连,同时与所述第四N型金属氧化物硅MOS晶体管M4的漏极相连,同时与所述第六P型金属氧化物硅MOS晶体管M6的漏极相连,它的栅极与控制信号VC8相连。
2.根据权利要求1所述的具有电压极性转换的功率开关,其特征在于,所述功率开关管电路中的第一P型金属氧化物硅MOS晶体管M1、第二P型金属氧化物硅MOS晶体管M2、第三N型金属氧化物硅MOS晶体管M3和第四N型金属氧化物硅MOS晶体管M4的宽长比W/L,比所述电压维持与采样开关电路中的第五P型金属氧化物硅MOS晶体管M5、第六P型金属氧化物硅MOS晶体管M6、第七N型金属氧化物硅MOS晶体管M7和第八N型金属氧化物硅MOS晶体管M8的宽长比W/L大,约在1倍至1000000倍之间,过电流能力也强1倍至1000000倍之间。
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