[发明专利]镀膜件及其制备方法

权利要求书

1.一种镀膜件，其包括基体及形成于基体表面的打底层，其特征在于：该镀膜件还包括形成于打底层表面的氮氧化镍层及形成于氮氧化镍层表面的氮化硅层。

2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述基体的材质为不锈钢或模具钢。

3.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述打底层为镍层，其以磁控溅射的方式形成，该打底层的厚度为0.1～0.2μm。

4.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：该氮氧化镍层中镍的原子百分比为45～70％，氧的原子百分比为20～45％，氮的原子百分比为10～15％。

5.如权利要求4所述的镀膜件，其特征在于：所述氮氧化镍层以磁控溅射的方式形成，该氮氧化镍层的厚度为0.5～1.5μm。

6.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述氮化硅层以磁控溅射的方式形成，该氮化硅层的厚度为0.5～1.0μm。

7.一种镀膜件的制备方法，其包括如下步骤：

提供一基体；

采用磁控溅射法，在该基体表面形成打底层；

采用磁控溅射法，在打底层的表面形成氮氧化镍层，使用金属镍靶，以氧气和氮气为反应气体；

采用磁控溅射法，在氮氧化镍层的表面形成氮化硅层，使用硅靶，以氮气为反应气体。

8.如权利要求7所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述打底层为镍层，形成打底层的步骤的具体工艺参数：使用金属镍靶，镍靶的功率为8～10kw，以氩气为工作气体，氩气流量为150～300sccm，基体偏压为-100～-300V，占空比为50％，镀膜温度为100～150℃，镀膜时间为5～10min。

9.如权利要求7所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述形成氮氧化镍层的步骤的具体工艺参数：镍靶的功率为8～10kw，氧气流量为40～100sccm，氮气流量为30～70sccm，以氩气为工作气体，氩气流量为150～300sccm，基体偏压为-100～-300V，占空比为50％，镀膜温度为100～150℃，镀膜时间为30～60min。

10.如权利要求7所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述形成氮化硅层的步骤的具体工艺参数：硅靶的功率为4～6kw，氮气流量为40～120sccm，以氩气为工作气体，氩气流量为150～200sccm，基体的偏压为-30～-50V，占空比为50％，镀膜温度为100～150℃，镀膜时间为1～2h。