[发明专利]一种制备高温超导涂层导体SrZrO3缓冲层薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备高温超导涂层导体SrZrO₃缓冲层薄膜的方法，其步骤是：

a、无水溶液制备：将乙酸锶和乙酰丙酮锆按锶∶锆的离子数量比等于1∶1的比例，溶解在丙酸中，形成无水溶液；

b、胶体制备：在a步的无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB)形成胶体；

c、胶体涂敷与干燥：将b步制得的胶体涂覆在基片上，再进行干燥；

d、热分解处理：将涂敷有胶体的基片置于烧结炉中，并在烧结炉中通入氩气，使炉温从室温以1℃/min升至170℃-240℃，再以0.1-0.9℃/min的速度升至500℃-540℃，保温0.5-1小时；

e、烧结成相：将热分解处理后的基片放入烧结炉中，先往烧结炉中通入氩气，再将炉温以40-100℃/min的速度快速升至720℃-800℃，保温0.5-1小时，然后让炉温让炉自然降温至室温，得到锶锆氧(SrZrO₃)高温超导涂层导体缓冲层。

2.如权利要求1所述的制备高温超导涂层导体SrZrO₃缓冲层薄膜的方法，其特征是：所述的聚乙烯醇缩丁醛(PVB)加入量占胶体总质量的3％-5％。

3.如权利要求1所述的制备高温超导涂层导体SrZrO₃缓冲层薄膜的方法，其特征是：所述c步中将胶体涂覆在涂层导体的基片上的具体作法为：将胶体滴在基片上，用匀胶机旋转，使胶体均匀涂覆在基片上。

4.如权利要求1所述的制备高温超导涂层导体SrZrO₃缓冲层薄膜的方法，其特征是：所述c步中干燥时的温度为100℃-200℃。