[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管结构与其制作方法

权利要求书

1.一种氧化物半导体薄膜晶体管结构，其特征在于，包含：

一基板；

一栅极，设置于该基板上；

一半导体绝缘层，设置于该栅极与该基板上；

一氧化物半导体层，设置于该半导体绝缘层上；

一图案化半导体层，设置于该氧化物半导体层上；以及

一源极与一漏极，设置于该图案化半导体层上，其中该源极与该漏极为一金属层所构成。

2.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管结构，其特征在于，该氧化物半导体层的材料包含氧化铟锌、氧化铟镓锌或氧化锌锡。

3.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管结构，其特征在于，该图案化半导体层包含一掺杂半导体层。

4.根据权利要求3所述的氧化物半导体薄膜晶体管结构，其特征在于，该掺杂半导体层包含一掺杂非晶硅层或一掺杂微晶硅层。

5.根据权利要求3所述的氧化物半导体薄膜晶体管结构，其特征在于，构成该源极与该漏极的该金属层包含一单一金属层或一复合金属层。

6.根据权利要求5所述的氧化物半导体薄膜晶体管结构，其特征在于，该单一金属层的材料包括铝、钼、钛、铬、其合金或其化合物，且该复合金属层的材料包括钼、铝、钛、铬、其合金或其化合物中的至少两者。

7.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管结构，其特征在于，该图案化半导体层包含一未掺杂半导体层。

8.根据权利要求7所述的氧化物半导体薄膜晶体管结构，其特征在于，该未掺杂半导体层包含一未掺杂非晶硅层或一未掺杂微晶硅层。

9.根据权利要求7所述的氧化物半导体薄膜晶体管结构，其特征在于，构成该源极与该漏极的该金属层包含一单一金属层或一复合金属层。

10.根据权利要求9所述的氧化物半导体薄膜晶体管结构，其特征在于，该单一金属层的材料包括铜或其合金，且该复合金属层的一最底层的材料包括铜或合金。

11.一种制作氧化物半导体晶体管结构的方法，其特征在于，包含：

提供一基板；

形成一栅极于该基板上；

形成一半导体绝缘层于该栅极上；

形成一氧化物半导体层于该半导体绝缘层上；

形成一半导体层于该氧化物半导体层上；

形成一金属层于该半导体层上；

以湿式蚀刻方式去除部分的该金属层以形成一源极与一漏极，并暴露出部分该半导体层；以及

去除该源极与该漏极所暴露出的该半导体层以形成一图案化半导体层。

12.根据权利要求11所述的制作氧化物半导体晶体管结构的方法，其特征在于，该图案化半导体层包含一掺杂非晶硅半导体层或一掺杂微晶硅半导体层。

13.根据权利要求12所述的制作氧化物半导体晶体管结构的方法，其特征在于，形成该半导体层的步骤包含通入一混合气体，该混合气体包含氩气、三氢化磷以及四氢化硅，且通入氩气的一体积流量及通入三氢化磷与四氢化硅的一总体积流量的一比值大于或等于5。

14.根据权利要求11所述的制作氧化物半导体晶体管结构的方法，其特征在于，该图案化半导体层包含一未掺杂非晶硅半导体层或一未掺杂微晶硅半导体层。

15.根据权利要求14所述的制作氧化物半导体晶体管结构的方法，其特征在于，形成该半导体层的步骤包含通入一混合气体，该混合气体包含氩气以及四氢化硅，且通入氩气的一体积流量与四氢化硅的一体积流量的一比值大于或等于5。

16.根据权利要求11所述的制作氧化物半导体晶体管结构的方法，其特征在于，去除该源极与该漏极所暴露出的该半导体层以形成该图案化半导体层以干式蚀刻方式进行。