[发明专利]一种GPON模块基本单元和其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110009656.6 申请日: 2011-01-18
公开(公告)号: CN102062911A 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: 万里兮;刘丰满;李宝霞;陈少武 申请(专利权)人: 成都锐华光电技术有限责任公司
主分类号: G02B6/42 分类号: G02B6/42
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 徐宏;吴彦峰
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 gpon 模块 基本 单元 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种GPON基本单元,其特征在于包括硅基光平台(101)、光波导(102)、1310nm波段激光器(103)、反射镜(202)、1490nm波段探测器(104)、背光探测器(105)、分波/合波器(108)、用于光纤固定的V型槽(107)和用于电气连接的金属焊盘(106);所述1310nm波段激光器(103)、反射镜(202)被埋入硅基光平台(101)中,所述1310nm波段激光器(103)、反射镜(202)、1490nm波段探测器(104)分别与光波导(102)耦合;所述光波导(102)、1310nm波段激光器(103)、反射镜(202)、1490nm波段探测器(104)、背光探测器(105)、分波/合波器(108)、V型槽107和金属焊盘106分别与硅基光平台(101)耦接。

2.如权利要求1所述的GPON基本单元,其特征在于所述光波导(102)的端面几何中心和1310nm波段激光器(103)的发光面对准。

3.如权利要求2所述的GPON基本单元,其特征在于所述背光探测器(105)通过耦合光栅(201)与光波导(102)耦合。

4.如权利要求3所述的GPON基本单元,其特征在于所述光波导(102)的材料为二氧化硅、氮化硅、硅或透明有机材料。

5.如权利要求1所述的GPON基本单元的制造方法,其包含以下步骤: 

步骤一,将1310nm波段激光器(103)和反射镜(202)埋入硅基光平台(101);

步骤二,在硅基光平台(101)光刻或刻蚀,形成光波导(102)、背光探测器耦合光栅(201)和分波/合波器(108);所述1310nm波段激光器(103)与光波导(102)耦合,光波导(102)的端面几何中心和1310nm波段激光器(103)发光面对准;

步骤三,在硅基光平台(101)上通过蒸发、溅射和电镀,形成金属焊盘(106)和金属布线;

步骤四,在硅基光平台(101)上刻蚀用于光纤对准和固定的V型槽(107);步骤五,在硅基光平台(101)上表贴背光探测器(105),并设置1490nm波段探测器(104),所述1490nm波段探测器(104)与硅基光平台(101)耦接。

6.如权利要求5所述的GPON基本单元的制造方法,其特征在于所述步骤一中的将1310nm波段激光器(103)和反射镜(202)埋入硅基光平台(101)具体还包括:

步骤1,在子板上将至少一个1310nm波段激光器(103)和至少一个反射镜(202)预固定,1310nm波段激光器(103)上带有焊盘的上表面和子板接触,反射镜(202)的带有反射斜面上表面和子板接触;

步骤2,在硅基光平台(101)上形成长、宽、高均大于1310nm波段激光器(103)几何尺寸的凹坑(301)和长、宽、高均大于反射镜(202)几何尺寸的凹坑(302),所述凹坑(301)和凹坑(302)在硅基光平台(101)上的分布与1310nm波段激光器(103)和反射镜(202)在子板上的分布一一对应,凹坑(301)和凹坑(302)的内壁底面涂覆一层用于固定的固定层(303);将预固定后的子板和刻蚀有凹坑并且该凹坑内壁底面涂覆有固定层303的硅基光平台(101)面对面对准后压合;

步骤3,脱附子板,1310nm波段激光器(103)和反射镜(202)转移到对应的凹坑(301)和凹坑(302)中。

7.如权利要求6所述的GPON基本单元的制造方法,其特征在于所述GPON模块单元的制造方法是基于晶圆的。

8.如权利要求7所述的GPON基本单元的制造方法,其特征在于所述述1310nm波段激光器(103)和所述反射镜(202)间隔排列。

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