[发明专利]晶圆级半导体晶片封装方法及半导体晶片封装体

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶圆级半导体晶片封装方法及一种半导体晶片封装体。

背景技术

目前，在半导体晶片的焊垫上形成锡球的方法大部分为首先在该半导体晶片的焊垫上涂布一锡膏层。然后，透过回焊处理，在每个焊垫上的锡膏层便形成一个锡球。然而，此制造程序及其成品具有锡球容易从半导体晶片的焊垫脱离且锡球从晶片的表面到锡球的顶端的高度难以控制进而致使与外部电路电气连接时容易发生接触不良或根本没有连接的现象的缺点。此外，在单一颗晶片上形成锡球在产量上也有所不足。

有鉴于此，本案发明人遂以其从事该行业的多年经验，并本着精益求精的精神，积极研究改良，遂有本发明“晶圆级半导体晶片封装方法及半导体晶片封装体”产生。

发明内容

本发明的目的是为提供一种晶圆级半导体晶片封装方法及一种半导体晶片封装体。

根据本发明的特征，一种晶圆级半导体晶片封装方法被提供，该方法包含如下的步骤：提供一个半导体晶圆，该半导体晶圆具有数个晶片区域，每个晶片区域具有一个电极形成表面和至少一个形成于该电气接点形成表面上的电气接点；在所有晶片区域的形成表面上涂布一个光阻层，借着曝光与显影处理，该光阻层形成有数个各曝露一对应的电气接点的曝露孔；在该光阻层的每个曝露孔之内填充导电材料并且透过回焊处理使填充于每个曝露孔之内的导电材料形成一导电触点；把该光阻层移除并且在该等晶片区域的电气接点形成表面上涂布一个覆盖所有导电触点的保护层；研磨该保护层直到每个导电触点的顶部被曝露为止；在该保护层的表面上涂布一个钝化层，该钝化层透过曝光和显影处理而形成有数个各曝露一对应的导电触点的曝露孔；在该钝化层的曝露孔之内填充导电材料并且透过回焊处理使填充于该钝化层的每个曝露孔之内的导电材料形成一导电触点；及把该钝化层移除。

根据本发明的另一特征，一种半导体晶片封装方法被提供，该半导体晶片封装方法包含如下的步骤：提供一个半导体晶圆，该半导体晶圆具有数个晶片区域，每个晶片区域具有一个电极形成表面、一个与该电气接点形成表面相对的背面、至少一个形成于该电气接点形成表面上的电气接点、及至少一个相对于该至少一个电气接点形成于该背面上的金属垫，该至少一个电气接点与该至少一个金属垫是由一个贯穿孔连通；在每个贯穿孔之内填充导电材料；透过回焊处理使填充于每个贯穿孔之内的导电材料形成一个有一端凸伸到对应的金属垫外部的导电触点；在该等晶片区域的背面上涂布一个覆盖所有导电触点的保护层；研磨该保护层直到每个导电触点的顶部被曝露为止；在该保护层的表面上涂布一个钝化层，该钝化层透过曝光和显影处理而形成有数个各曝露一对应的导电触点的曝露孔；在该钝化层的曝露孔之内填充导电材料并且透过回焊处理使填充于该钝化层的每个曝露孔之内的导电材料形成一导电触点；及把该钝化层移除。

根据本发明的又另一特征，一种半导体晶片封装方法被提供，该半导体晶片封装方法包含如下的步骤：提供一个半导体晶圆，该半导体晶圆具有数个晶片区域，每个晶片区域具有一个电极形成表面和至少一个形成于该电气接点形成表面上的电气接点；在所有晶片区域的形成表面上涂布一个光阻层，借着曝光与显影处理，该光阻层形成有数个各曝露一对应的电气接点的曝露孔；在该光阻层的每个曝露孔之内填充导电材料并且透过回焊处理使填充于每个曝露孔之内的导电材料形成一导电触点；研磨该光阻层直到每个导电触点的顶部被曝露为止；在该光阻层的表面上涂布一个钝化层，该钝化层透过曝光和显影处理而形成有数个各曝露一对应的导电触点的曝露孔；在该钝化层的曝露孔之内填充导电材料并且透过回焊处理使填充于该钝化层的每个曝露孔之内的导电材料形成一导电触点；及把该钝化层移除。

附图简述

图1至图10是为显示本发明的第一优选实施例的晶圆级半导体晶片封装方法的示意流程剖视图；

图11至图13是为显示本发明的第二优选实施例的晶圆级半导体晶片封装方法的示意流程剖视图；

图14是为一个显示由本发明的封装方法封装出来的半导体晶片封装体与一载体的连接的示意侧视图；

图15至图24是为显示本发明的第三优选实施例的晶圆级半导体晶片封装方法的示意流程剖视图；

图25是为一个显示由本发明的封装方法封装出来的半导体晶片封装体堆叠在一起的态样的示意剖视图；及

图26至图33是为显示本发明的第四优选实施例的晶圆级半导体晶片封装方法的示意流程剖视图。

【主要元件符号说明】

1    半导体晶圆

10   晶片区域

100  电气接点形成表面

101  电气接点