[发明专利]三氯硅烷制造装置有效
| 申请号： | 201110020020.1 | 申请日： | 2011-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102134079A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 村上直也;斋木渉 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 齐葵;王诚华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅烷 制造 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种由包含四氯化硅和氢气的原料气体制造三氯硅烷的装置，其特征在于，具备：
大致筒状的反应室，自下方被供给所述原料气体而生成包含三氯硅烷和氯化氢等的反应气体；多个加热器，设置于所述反应室内并加热所述原料气体；及多个电极，连接于这些加热器的下端且固定于所述反应室的底板，
各所述加热器具有：一对非发热部，固定于一对所述电极；及发热部，安装于这些非发热部并被供给电力进行发热，
所述发热部具备：第1发热体，为板状且从各所述非发热部向上方延伸并连接所述一对非发热部之间；第2发热体，为板状且高度低于该第1发热体，从各所述非发热部向上方延伸并连接所述一对非发热部之间。
2.如权利要求1所述的三氯硅烷制造装置，其特征在于，
所述第1发热体和所述第2发热体具有各不相同的截面积。
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