[发明专利]一种开关电源芯片的启动电路及其启动方法有效

专利信息
申请号: 201110020266.9 申请日: 2011-01-18
公开(公告)号: CN102097927A 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 陈泽强;徐思远;朱慧珍;段建华;刘娜 申请(专利权)人: BCD半导体制造有限公司
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李秋香;逯长明
地址: 开曼群岛乔*** 国省代码: 开曼群岛;KY
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摘要:
搜索关键词: 一种 开关电源 芯片 启动 电路 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种开关电源芯片的启动电路,其特征在于,所述启动电路包括:

供电电压Vcc上电模块,用于在外部供电电压Vcc电压高于预先设计的启动电压时,产生模拟信号E8;

芯片电压偏置/电流偏置产生及芯片低压部分电源产生模块,用于接收所述模拟信号E8,建立芯片所需的电压偏置信号和电流偏置信号,建立芯片所需的低压工作电压Vdd,输出POW_R信号为H时,芯片启动完成;

芯片的UVLO模块,当供电电压Vcc电压低于Vcc UVLO电压值时,使得整个开关电源芯片停止工作。

2.根据权利要求1所述的开关电源芯片的启动电路,其特征在于,所述供电电压Vcc上电模块包括:与所述外部供电电压Vcc相串联的第一二极管、第二二极管,第三二极管反向串联在所述第二二极管和第一Pmos管之间;与所述第一Pmos管相并联的第一Nmos管;

所述供电电压Vcc上电模块还包括:与所述外部供电电压Vcc相串联的第一电阻和第二电阻以及第二Nmos管;

所述供电电压Vcc上电模块还包括:与所述外部供电电压Vcc相串联的第三Nmos管、第二Pmos管以及模拟信号E8发生器。

3.根据权利要求1所述的开关电源芯片的启动电路,其特征在于,所述芯片电压偏置/电流偏置产生及芯片低压部分电源产生模块包括:与所述模拟信号E8发生器相连的第四Nmos管,与第四Nmos管相连的Vref产生模块,与所述Vref产生模块相连的电流产生模块和工作电压产生模块。

4.根据权利要求1所述的开关电源芯片的启动电路,其特征在于,所述芯片的UVLO模块包括与所述外部供电电压Vcc相串联的第三电阻和第五Nmos管,以及与所述外部供电电压Vcc相串联的第四、五、六电阻;

第一比较器的输入端与第四、五电阻分别相连,第一比较器的参考电压端接收第一参考电压;第一比较器的输出与第一RS触发器相连,第一RS触发器与所述第一Nmos管相连;

第二比较器的输入端与第五、六电阻分别相连,第二比较器的参考电压端接收第二参考电压;第二比较器的输出与第二RS触发器相连,第二RS触发器与所述第五Nmos管相连。

5.根据权利要求1至4任一所述的开关电源芯片的启动电路,其特征在于,所述预先设计的启动电压为第一二极管,第二二极管正向电压与第三二极管的反向嵌位电压之和。

6.根据权利要求5所述的开关电源芯片的启动电路,其特征在于,所述预先设计的启动电压为18V。

7.根据权利要求4所述的开关电源芯片的启动电路,其特征在于,所述第一参考电压为9V,第二参考电压为8V。

8.一种开关电源芯片的启动电路的启动方法,其特征在于,包括以下步骤:

开关电源芯片的供电电压Vcc的上电过程:

301、判断外部供电电压Vcc是否高于预先设计的启动电压,当Vcc高于预先设计的启动电压,则执行302步骤;

302、产生模拟信号E8,模拟信号E8信号建立后,执行步骤303和步骤304;

303、允许芯片的电压偏置模块工作;

304,允许芯片的电流偏置模块工作,同时建立除供电模块以外的芯片内所有模块所需的电压偏置信号和电流偏置信号;

305、建立芯片除供电模块以外的芯片内所有模块的工作电压Vdd;

306、工作电压Vdd建立好后,产生芯片除供电模块以外的芯片内所有模块的使能信号,整个芯片开始进入正常工作;

开关电源芯片的供电电压Vcc的下电过程:

307、判断到Vcc电压是否低于第一参考电压V1,若是执行步骤308;

308、在使得芯片的除供电模块以外的芯片内所有模块正常工作的前提下,关闭芯片的输出模块,同时提供一条使Vcc继续放电的通路,保证Vcc的内部耗电大于外部给电,使得Vcc进一步减小,执行步骤309;

309、判断到Vcc是否低于第二参考电压V2,若是执行步骤310;

310、Vdd开始减小;

311、当Vdd减小到不能使得除供电模块以外的芯片内所有模块正常的电压V3时,POW_S信号输出为H时,芯片的其它模块的停止工作;

312、关闭芯片除供电模块以外的芯片内所有模块的电流信号。

9.根据权利要求8所述的开关电源芯片的启动电路的启动方法,其特征在于,所述第一参考电压为9V,第二参考电压为8V。

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