[发明专利]一种电子封装用低成本抗老化钎料及其制备方法

权利要求书

1.一种电子封装用低成本抗老化钎料，其特征在于电子封装用低成本抗老化钎料按质量百分比由0.60％～0.79％的Ag、0.50％～0.90％的Cu、0.02％～0.20％的Ni、2.10％～4.00％的Bi和余量的Sn组成。

2.根据权利要求1所述的一种电子封装用低成本抗老化钎料，其特征在于电子封装用低成本抗老化钎料按质量百分比由0.63％～0.75％的Ag、0.60％～0.80％的Cu、0.05％～0.18％的Ni、2.30％～3.50％的Bi和余量的Sn组成。

3.如权利要求1所述的一种电子封装用低成本抗老化钎料的制备方法，其特征在于电子封装用低成本抗老化钎料的制备方法按以下步骤进行：一、按质量百分比为Ag：0.60％～0.79％、Cu：0.50％～0.90％、Ni：0.02％～0.20％、Bi：2.10％～4.00％和余量的Sn称取银、铜、镍、铋和锡；二、将步骤一称取的锡放入熔炼器皿中，通入氩气保护，先升温至480℃～530℃，当锡完全熔化后，将步骤一称取的银、铜、镍和铋加入到熔炼器皿中，搅拌，在温度为480℃～530℃的条件下熔炼7min～10min，然后降温至350℃～400℃保温25min～40min，停止加热并在氩气保护下冷却至室温，得到固态金属；三、将步骤二中得到的到固态金属在氩气保护下升温至480℃～530℃熔炼8min～10min，再降温至350℃～400℃保温25min～40min，冷却后得到电子封装用低成本抗老化钎料。

4.根据权利要求3所述的一种电子封装用低成本抗老化钎料的制备方法，其特征在于步骤一中按质量百分比为Ag：0.65％～0.75％、Cu：0.60％～0.80％、Ni：0.05％～0.15％、Bi：2.30％～3.80％和余量的Sn称取银、铜、镍、铋和锡。

5.根据权利要求3或4所述的一种电子封装用低成本抗老化钎料的制备方法，其特征在于步骤二中将锡放入熔炼器皿中升温至490℃～520℃使其熔化。

6.根据权利要求3或4所述的一种电子封装用低成本抗老化钎料的制备方法，其特征在于步骤二中将银、铜、镍和铋加入到熔化的锡中后，在温度为490℃～520℃的条件下熔炼8min～9min。

7.根据权利要求3或4所述的一种电子封装用低成本抗老化钎料的制备方法，其特征在于步骤二中将银、铜、镍和铋加入到熔化的锡中后，在温度为510℃的条件下熔炼8.5min。

8.根据权利要求3或4所述的一种电子封装用低成本抗老化钎料的制备方法，其特征在于步骤二中将锡、银、铜、镍和铋熔炼后，降温至360℃～390℃保温28min～38min。

9.根据权利要求3或4所述的一种电子封装用低成本抗老化钎料的制备方法，其特征在于步骤二中将锡、银、铜、镍和铋熔炼后，降温至380℃保温30min。

10.根据权利要求3或4所述的一种电子封装用低成本抗老化钎料的制备方法，其特征在于步骤三中将步骤二中得到的到固态金属在氩气保护下升温至490℃～520℃熔炼8.5min～9.5min，再降温至360℃～390℃保温28min～38min。