[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110020536.6 | 申请日： | 2011-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102593173A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 罗军;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/45;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括含硅的衬底、位于所述衬底中的沟道区、
位于所述沟道区两侧的源漏区、位于所述沟道区上的栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的隔离侧墙，所述源漏区具有镍基金属硅化物，其特征在于：
所述镍基金属硅化物中具有能抑制镍金属扩散的掺杂离子。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述镍基金属硅化物与所述沟道区的界面处也具有所述掺杂离子的聚集区，所述掺杂离子的聚集区位于所述隔离侧墙下方且未进入所述沟道区。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述镍基金属硅化物为NiSi、NiPtSi、NiCoSi或NiPtCoSi。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述掺杂离子为碳、氮、氧、氟、硫的任一种及其组合。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述掺杂离子的剂量为1×1013cm-2至8×1015cm-2。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述含硅的衬底为体硅或绝缘体上硅(SOI)。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源漏区为具有LDD结构的高掺杂源漏区。
8.一种半导体器件的制造方法，包括：
在含硅的衬底上形成栅极结构；
进行源漏第一次注入后退火形成源漏LDD区，源漏LDD区之间的衬底成为沟道区；
在所述栅极结构两侧形成隔离侧墙；
进行源漏第二次注入后退火形成源漏高掺杂区；
将能抑制镍金属扩散的掺杂离子倾斜注入至隔离侧墙下方的衬底中；
在所述衬底、所述栅极结构和所述隔离侧墙上沉积镍基金属层；
快速热退火，以使所述隔离侧墙两侧的镍基金属层与所述衬底中的硅反应形成镍基金属硅化物，同时，所述掺杂离子分布在所述镍基金属硅化物中；
剥除未反应的所述镍基金属层。
9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，快速热退火时，在所述镍基金属硅化物/沟道区的界面处还形成掺杂离子的聚集区，所述掺杂离子的聚集区位于所述隔离侧墙下方且未进入所述沟道区。
10.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，所述掺杂离子为碳、氮、氧、氟、硫的任一种及其组合。
11.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，所述掺杂离子的剂量为1×1013cm-2至8×1015cm-2。
12.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，所述含硅的衬底为体硅或绝缘体上硅(SOI)。
13.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，所述掺杂离子倾斜注入为室温注入或低温注入。
14.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其中，所述低温注入是在0℃至-250℃下进行。
15.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，所述掺杂离子的倾斜注入在所述隔离侧墙下方的衬底中形成口袋状或光晕状的掺杂离子分布区，所述掺杂离子分布区未进入所述沟道区。
16.如权利要求15所述的半导体器件的制造方法，其中，所述掺杂离子分布区中的硅在快速热退火阶段被完全消耗。
17.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，所述源漏区为具有LDD结构的高掺杂源漏。
18.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，所述镍基金属硅化物为NiSi、NiPtSi、NiCoSi或NiPtCoSi。
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