[发明专利]一种发光二极管外延生长方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延生长方法，其特征在于：在多量子阱的制备过程中，在两个相邻量子阱的生长过程间加入一个高温退火步骤，具体为前一量子阱的量子垒形成后，以高于量子垒生长温度50℃以上的温度对前一量子阱的量子阱层进行退火，然后再按常规温度生长后一量子阱的量子阱层。

2.如权利要求1所述的发光二极管外延生长方法，其特征在于：对多个相邻量子阱间加入高温退火步骤，退火温度相同或者不同。

3.如权利要求1或2所述的发光二极管外延生长方法，其特征在于：量子阱的数目i为2≤i≤100。

4.如权利要求1或2所述的发光二极管外延生长方法，其特征在于：量子阱的组成为Al_yIn_xGa_1-x-yN(0＜x≤1，0≤y＜1)，量子垒的组成为Al_aIn_bGa_1-a-bN(0＜a≤1，0≤b＜1)；

过渡层的组成为Al_yIn_xGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y＜1)；

u型氮化镓层为未掺杂Al_yIn_xGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y＜1)半导体层；

n型氮化镓层为n型掺杂Al_yIn_xGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y＜1)半导体层，掺杂元素为Si，掺杂浓度为1×10¹⁸/cm³～5×10²²/cm³；

p型氮化镓层为p型掺杂In_xGa_1-xN(0＜x≤1)半导体层，掺杂元素为Be、Mg，掺杂浓度为5×10¹⁷/cm³～9×10²³/cm³。

5.如权利要3所述的发光二极管外延生长方法，其特征在于：量子阱的组成为Al_yIn_xGa_1-x-yN(0＜x≤1，0≤y＜1)，量子垒的组成为Al_aIn_bGa_1-a-bN(0＜a≤1，0≤b＜1)；

过渡层的组成为Al_yIn_xGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y＜1)；

u型氮化镓层为未掺杂Al_yIn_xGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y＜1)半导体层；

n型氮化镓层为n型掺杂Al_yIn_xGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y＜1)半导体层，掺杂元素为Si，掺杂浓度为1×10¹⁸/cm³～5×10²²/cm³；

p型氮化镓层为p型掺杂In_xGa_1-xN(0＜x≤1)半导体层，掺杂元素为Be、Mg，掺杂浓度为5×10¹⁷/cm³～9×10²³/cm³。