[发明专利]一种纳米硅/晶体硅异质结光伏电池

权利要求书

1.一种纳米硅/晶体硅异质结光伏电池，其特征在于：电池的叠层顺序从上至下依次设置为：正面银电极、正面TCO导电薄膜、p型重掺杂纳米硅层即p⁺层、p型轻掺杂纳米硅层即p层、p型轻扩散晶体硅层即p^-层、n型晶体硅层、本征纳米硅层即i层、n型纳米硅层、背面TCO导电薄膜、背面银电极；或者是正面银电极、正面TCO导电薄膜、n型重掺杂纳米硅层即n⁺层、n型轻掺杂纳米硅层即n层、n型轻扩散晶体硅层即n^-层、p型晶体硅层、本征纳米硅层即i层、p型纳米硅层、背面TCO导电薄膜、背面银电极，其中掺杂浓度：p⁺层＞p层＞p^-层，n⁺层＞n层＞n^-层。

2.根据权利要求1所述的纳米硅/晶体硅异质结光伏电池，其特征在于：p型重掺杂纳米硅层的禁带宽度为1.95ev～1.99ev。

3.根据权利要求1所述的纳米硅/晶体硅异质结光伏电池，其特征在于：p型轻掺杂纳米硅层为1.97ev到1.75ev的渐变带隙。

4.根据权利要求1所述的纳米硅/晶体硅异质结光伏电池，其特征在于：所述的晶体硅衬底是CZ单晶硅衬底、FZ单晶硅衬底或多晶硅衬底，表面具有绒面结构。

5.根据权利要求1所述的纳米硅/晶体硅异质结光伏电池，其特征在于：p型或n型轻掺杂纳米硅层和轻扩散晶体硅层的厚度均为9～11纳米。