[发明专利]一种制备P型SiC纳米线场效应管的方法无效
| 申请号： | 201110020832.6 | 申请日： | 2011-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102148160A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 张新霓;陈友强 | 申请（专利权）人： | 青岛大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266071 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 sic 纳米 场效应 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备基于P型SiC纳米线的场效应管的新方法，其包括以下具体步骤：
(1)有机前驱体聚硅氮烷与一定量的硝酸铝的混合物混合均匀后在保护气氛N2或Ar气气氛下，于260℃进行低温交联固化，得到非晶态固体；
(2)将非晶态固体在球磨机中进行球磨粉碎；
(3)将粉碎得到的粉末置于Al2O3坩埚的底部，在其上方放置C基板；
(4)将Al2O3坩埚置于气氛烧结炉中，在Ar气氛保护下于1350～1550℃范围内进行高温热解，保温5～120min；
(5)随炉冷却至室温，由此可在C基板上得到原位掺杂Al的SiC纳米线；
(6)将得到的原位掺杂Al的SiC纳米线分散在乙醇溶液里，将此悬浮液旋涂在有氧化层的硅片上，采用光刻-蒸镀-剥离工艺在SiC纳米线两端分别制作源电极和漏电极，并以硅衬底作背栅极。
2.根据权利要求1所述的制备P型SiC纳米线的场效应管的方法，其特征在于：所述步骤(1)中使用的硝酸铝含量是聚硅氮烷质量分数的0.01％～5％。
3.根据权利要求1所述的制备P型SiC纳米线的场效应管的方法，其特征在于：所述步骤(6)中所采用的硅片为N型或P型硅片，氧化层厚度为100nm～800nm，源、漏电极为Ti/Au或Ni/Au或Au或Pt。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
