[发明专利]锗量子点掺杂纳米二氧化钛复合薄膜的制备方法有效
申请号: | 201110020974.2 | 申请日: | 2011-01-19 |
公开(公告)号: | CN102071396A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | 何芳;李小青;黄远;万怡灶;刘贵高 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/34;H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人: | 王小静 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 量子 掺杂 纳米 氧化 复合 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种锗量子点掺杂纳米二氧化钛复合薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
1)基片、靶材的清洗:首先用丙酮对石英基片或硅基片清洗10~15min,再用无水乙醇进行超声清洗10~15min,最后用去离子水反复清洗,晾干备用;用无水乙醇对纯度为99.99%以上的二氧化钛靶材和99.99%以上锗靶材表面擦拭干净,备用;
2)将经步骤1)清洗干净的基片和靶材分别置入离子束溅射室内的基盘和靶位上,抽真空使其本底真空度达到2.0×10-4Pa~9.4×10-4Pa,接着向溅射室内通入纯度为99.99%以上的工作气体-氩气,使溅射室内压强为2.0×10-2Pa~2.5×10-2Pa,调整溅射室温度为20℃~200℃;
3)采用引出电流为45mA,引出电压为1.6kV的氩离子束分别对靶材和基片各进行5-10min的预溅射清洗;
4)薄膜制备:首先以引出电流为10mA~40mA,引出电压为0.5kV~3kV的氩离子束对二氧化钛靶材进行轰击10~30min,使其在基片上溅射沉积一层TiO2薄膜,然后在相同的引出电流、电压的条件下对锗靶材轰击1~25min,在已溅射二氧化钛薄膜的基片上溅射沉积形成一层Ge薄膜,这样通过转动二氧化钛靶材和锗靶材的位置在基片上交替溅射沉积TiO2、Ge薄膜,直至使薄膜总厚度达到50~1000nm,最后以溅射一层TiO2薄膜作为覆盖层结束,在基片上得到锗掺杂纳米二氧化钛复合薄膜;
5)将步骤4)制备的锗掺杂纳米二氧化钛复合薄膜进行退火,所述的退火条件:以升温速率为2~40℃/min,升温至400~700℃,保温时间为0.5~2h,然后随炉温冷却至室温,在基片上得到锗量子点掺杂的纳米二氧化钛复合薄膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110020974.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种陶瓷工艺台
- 下一篇:一种含金砷硫精矿综合利用的方法
- 同类专利
- 专利分类