[发明专利]耐高压的结型场效应管

权利要求书

1.一种耐高压的结型场效应管，衬底中具有阱一，阱一的掺杂类型与衬底相反；在阱一的表面具有隔离结构一、隔离结构二、隔离结构三、隔离结构四；在阱一中且在隔离结构二和隔离结构三之间具有阱二，阱二的掺杂类型与阱一相反；在阱一中且在隔离结构三和隔离结构四之间具有阱三，阱三的掺杂类型与阱一相同但掺杂浓度更大；在阱一的表面且在隔离结构一和隔离结构二之间具有阱四，阱四的掺杂类型与阱一相同但掺杂浓度更大；在阱二的表面具有阱五，阱五的掺杂类型与阱二相同但掺杂浓度更大；在阱三的表面具有阱六，阱六的掺杂类型与阱三相同但掺杂浓度更大；阱三、阱四、阱五分别作为场效应管的源极、栅极和漏极；其特征是，所述结型场效应管在硅片表面还具有场极板一、场极板二和场极板三；场极板一的一端在阱二之上且紧邻栅极，另一端在隔离结构三之上；场极板二的一端在隔离结构三之上，另一端在漏极之上；场极板三的一端在漏极之上，另一端在隔离结构四之上。

2.根据权利要求1所述的耐高压的结型场效应管，其特征是，所述隔离结构一、隔离结构二、隔离结构三、隔离结构四均为氧化硅。

3.根据权利要求1所述的耐高压的结型场效应管，其特征是，所述场极板一、场极板二、场极板三均为多晶硅。