[发明专利]一种改善硅片周边光刻胶形貌的方法

权利要求书

1.一种改善硅片周边光刻胶形貌的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，光刻胶的旋涂、烘烤；

步骤2，通过掩模版挡板定义出单个曝光区域的大小，再通过光刻机的曝光系统对硅片周边进行曝光，此次曝光无需掩模版；

步骤3，常规的带掩模版的图形区域曝光；

步骤4，显影，形成光刻胶图形并去除硅片周边光刻胶。

2.根据权利要求1所述的改善硅片周边光刻胶形貌的方法，其特征在于，在步骤1中，所述光刻胶是G-line，I-line，KrF或ArF类型的光刻胶。

3.根据权利要求1所述的改善硅片周边光刻胶形貌的方法，其特征在于，在步骤2中，所述光刻机是G-line，I-line，KrF或ArF光源的光刻机，所述光刻机是步进式、扫描式或浸没式光刻机。

4.根据权利要求1或3所述的改善硅片周边光刻胶形貌的方法，其特征在于，在步骤2中，所述的单个曝光区域的大小，根据硅片周边对圆弧精度的需求进行调节，对圆弧精度要求越高，单个曝光区域就越小；对圆弧精度要求越低，单个曝光区域就越大。

5.根据权利要求1或3所述的改善硅片周边光刻胶形貌的方法，其特征在于，在步骤2中，所述的单个曝光区域的大小，根据硅片周边去胶的多少进行调节，硅片周边去胶越少，单个曝光区域就越小；硅片周边去胶越多，单个曝光区域就越大。

6.根据权利要求1所述的改善硅片周边光刻胶形貌的方法，其特征在于，步骤2和步骤3的顺序可互换，即步骤3可在步骤2之前先完成。