[发明专利]一种提高磁电阻随机存储器高速缓存抗错能力的方法

权利要求书

1.一种提高磁电阻随机存储器高速缓存抗错能力的方法，其特征在于：其纠正随机存写错误采用递归式“写-读-校验”的存写操作，以“写-读-校验”操作为基础，利用错误校验码或错误记录缓存均一保护实现MRAM高速缓存容错。

2.一种提高磁电阻随机存储器高速缓存抗错能力的方法，其特征在于：MRAM高速缓存的存写操作采用“写-读-校验”操作，包括以下步骤：

步骤1：将数据D_w写入MRAM高速缓存；

步骤2：将所写入的数据读出，保存在MRAM高速缓存的寄存器中；

步骤3：比较并判断写入到MRAM高速缓存的数据D_w和从MRAM高速缓存的寄存器中读出的数据是否相等，如果相等，跳转至步骤4；如果不相等，跳转至步骤1；

步骤4：存写操作完成。

3.如权利要求2所述的提高磁电阻随机存储器高速缓存抗错能力的方法，其特征在于：在MRAM高速缓存中增加错误校验码逻辑，在所述步骤1中，在数据D_w写入MRAM高速缓存之前，首先将该数据D_w进行错误校验码编码生成校验数据，然后将该校验数据与要写入的数据D_w同时写入MRAM高速缓存。

4.如权利要求3所述的提高磁电阻随机存储器高速缓存抗错能力的方法，其特征在于：在所述步骤2中，在读出数据时，经错误校验码解码纠错后获得读出的数据D_r，然后再将该数据D_r与写入的数据D_w进行比较。

5.如权利要求2所述的提高磁电阻随机存储器高速缓存抗错能力的方法，其特征在于：在MRAM高速缓存中增加错误记录缓存逻辑，所述存写操作包括以下步骤：

步骤1：访问MRAM高速缓存的标签阵列，获得命中数据块的物理地址；

步骤2：对MRAM高速缓存进行一次“写-读-校验”操作，比较并分析该次存写操作的错误数据位数与地址；

步骤3：与步骤2的同时，读取错误记录缓存，收集该错误记录组中可用的错误记录单元个数，所述可用的错误记录单元包括：无效的错误记录单元和属于同一访问数据块的有效错误记录单元；

步骤4：比较存写操作的错误数据位数与可用的错误记录单元数，若可用的错误记录单元数不足以存储错误数据，则跳转至步骤2；否则，更新错误记录缓存，所述更新的内容包括存储新的错误数据地址和置不再使用的错误记录单元的有效位为无效；

步骤5：存写操作完成。

6.如权利要求5所述的提高磁电阻随机存储器高速缓存抗错能力的方法，其特征在于：所述错误记录缓存包括标签阵列与数据阵列，所述每个随机存写错误的地址存储在错误记录缓存的一个错误记录单元中。

7.如权利要求6所述的提高磁电阻随机存储器高速缓存抗错能力的方法，其特征在于：所述每个错误记录单元包括：有效位、数据块索引与地址信息三个部分，其中，有效位与数据块索引存储在标签阵列中，地址信息存储在数据阵列中，所述数据块索引存储出错缓存数据块的ID号，而地址信息数据存储该数据块中错误数据位的地址。

8.如权利要求6或7所述的提高磁电阻随机存储器高速缓存抗错能力的方法，其特征在于：所述错误记录缓存中的数据组织采用组相连的方式，即空间相临的高速缓存数据块的所有错误地址记录信息分配在同一个组内。