[发明专利]在超级结MOSFET中集成肖特基二极管的方法有效
| 申请号： | 201110021587.0 | 申请日： | 2011-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102610523A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 金勤海;王永成;陈正嵘 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超级 mosfet 集成 肖特基 二极管 方法 | ||
1.一种在超级结MOSFET中集成肖特基二极管的方法，其特征在于：在所述超级结MOSFET中并联集成有由肖特基接触与衬底形成的肖特基二极管，所述肖特基二极管的阳极位于超级结MOSFET元胞区域的源端两个体区之间的漂移区上，所述肖特基二极管的阳极与所述超级结MOSFET的源端相连；所述阳极的漂移区上还设有多个掺杂区，所述掺杂区的导电类型与所述漂移区相反，杂质浓度大于所述漂移区的杂质浓度，所述掺杂区也与所述超级结MOSFET的源端相连；所述肖特基二极管的阴极共用位于衬底背面的所述超级结MOSFET的漏电极。
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述超级结MOSFET中集成肖特基二极管的制备包括：
在超级结MOSFET中的多晶硅淀积完成后，刻蚀去除位于源区上方和位于两个体区之间的漂移区上方的多晶硅，形成多晶硅栅；
在所述源区和所述漂移区上刻蚀形成接触孔后，利用光刻工艺使光刻胶覆盖源区的接触孔和漂移区上部分接触孔，接着离子注入在所述漂移区上方未被光刻胶的覆盖的接触孔内形成掺杂区，所述掺杂区的导电类型与所述漂移区相反，杂质浓度大于所述漂移区的杂质浓度，最后去除光刻胶；
接着填入金属在接触孔内形成接触金属；
在接下来的金属互连形成工艺中，用金属线连接所述源极、所述肖特基二极管的阳极和所述掺杂区。
3.按照权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述掺杂区为等间距间隔设置在漂移区上。
4.按照权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述掺杂区的掺杂浓度为：1013-1016个原子/cm2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
