[发明专利]用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料

权利要求书

1.一种用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，其特征在于：其组分通式为(Si_aSb_bTe_c)_1-yM_y，在Si_aSb_bTe_c中，Si的含量a为10-25％原子百分比，Sb和Te的含量的原子百分比的比值为1.7≤(b/c)≤2.0；M为掺杂元素，其含量y是0-25％原子百分比。

2.根据权利要求1所述用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，其特征在于：掺杂元素M为氮元素、氧元素或它们的混合物。

3.根据权利要求1所述用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，其特征在于：所述相变材料为(Si₁₁Sb₅₇Te₃₂)_1-yM_y。

4.根据权利要求1所述用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，其特征在于：所述相变材料为(Si₁₈Sb₅₂Te₃₀)_1-yM_y。

5.根据权利要求1所述用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，其特征在于：所述相变材料为(Si₂₄Sb₄₈Te₂₈)_1-yM_y。

6.根据权利要求1所述用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，其特征在于：所述相变材料采用溅射法、电子束蒸发法、气相沉积法、及原子层沉积法中的一种方法形成。

7.根据权利要求1所述用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，其特征在于：所述相变材料在N₂、O₂或N₂与O₂混合气体的氛围下，采用Si、Sb、及Te三个单质靶共溅射形成。

8.根据权利要求1所述用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，其特征在于：所述相变材料在N₂、O₂或N₂与O₂混合气体的氛围下，采用Si-Sb合金靶和Te单质靶共溅射形成，或者采用Si-Te合金靶和Sb单质靶共溅射形成，或者采用Sb-Te合金靶和Si单质靶共溅射形成。

9.根据权利要求1所述用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，其特征在于：所述相变材料在N₂、O₂或N₂与O₂混合气体的氛围下，直接采用Si-Sb-Te的合金靶溅射形成。