[发明专利]非挥发性电阻转变存储器无效
| 申请号： | 201110022467.2 | 申请日： | 2011-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102610746A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 刘明;连文泰;龙世兵;吕杭炳;刘琦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 挥发性 电阻 转变 存储器 | ||
1.一种非挥发性电阻转变存储器，其特征在于，包括：
下电极；
在所述下电极上形成的介质层；
形成于所述介质层上的阻挡层；以及
形成于所述阻挡层上的上电极。
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于：
所述下电极材料是由惰性电极材料构成。
3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于：
所述介质层的材料包括硫族化物、二元氧化物或多元氧化物。
4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于：
所述硫族化物包括AgGexSe1-x、AgGeS、CuGeS、AgZnxCd1-x、CuI0.76S0.14或Cu2Se。
5.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于：
所述二元氧化物包括锆的氧化物、铪的氧化物、钛的氧化物、铝的氧化物、铜的氧化物、镍的氧化物、锌的氧化物或锰的氧化物。
6.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于：
所述多元氧化物包括Pr1-xCaxMnO3或SrZrO3。
7.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于：
所述介质层的材料还包括CuWOx、CuSiOx、AgI、AgSbxTe1-x或(Ag2S)x(As2S3)1-x。
8.根据权利要求1至7任一项所述的存储器，其特征在于：
所述阻挡层是指具有低电阻率且与上下界面不会发生反应的介质层。
9.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于：
所述阻挡层的材料包括锑化钛、氧化钛或氧化钽。
10.根据权利要求1至7任一项所述的存储器，其特征在于：
所述上电极的材料包括金属电极材料或者具有较强吸氧能力的电极材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110022467.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
