[发明专利]声波器件及其制作方法

权利要求书

1.一种声波器件，其特征在于：包括：

(a)基底；

(b)一个或多个串联声波谐振器，每个串联声波谐振器的结构包括在基底上形成的底部电极、在底部电极上形成的压电层、在压电层上形成的顶部电极以及在顶部电极上形成的钝化层；

(c)一个或多个并联声波谐振器，每个并联声波谐振器的结构包括在基底上形成的底部电极、在底部电极上形成的质量负载层、在质量负载层上形成的压电层、在压电层上形成的顶部电极以及在顶部电极上形成的钝化层；

其中，所述的一个或多个的串联声波谐振器和所述的一个或多个的并联声波谐振器以栅格或梯形结构相互耦合。

2.根据权利要求1所述的声波器件，其特征在于，所述的基底带有空气腔或者声反射镜，一个或多个串联声波谐振器和一个或多个并联声波谐振器位于空气腔或声反射镜上。

3.根据权利要求1所述的声波器件，其特征在于，所述的质量负载层的厚度范围是5nm～500nm。

4.根据权利要求1所述的声波器件，其特征在于，所述的一个或多个串联声波谐振器和一个或多个并联声波谐振器的结构都还包括在基底和底部电极之间形成的种子层。

5.一种声波器件，其特征在于：包括：

(a)基底；

(b)一个或多个串联声波谐振器，每个串联声波谐振器包括在基底上形成的底部电极、在底部电极上形成的压电层、在压电层上形成的顶部电极以及在顶部电极上形成的钝化层；

(c)一个或多个并联声波谐振器，每个并联声波谐振器包括在基底上形成的质量负载层、在质量负载层上形成的底部电极、在底部电极上形成的压电层、在压电层上形成的顶部电极以及在顶部电极上形成的钝化层；

其中，所述的一个或多个串联声波谐振器和所述的一个或多个并联声波谐振器以栅格或梯形结构相互耦合。

6.根据权利要求5所述的声波器件，其特征在于，所述的基底带有空气腔或声反射镜，一个或多个串联声波谐振器和一个或多个并联声波谐振器位于空气腔或声反射镜上面。

7.根据权利要求5所述的声波器件，其特征在于，所述的质量负载层的厚度范围是5nm～500nm。

8.根据权利要求5所述的声波器件，其特征在于，所述的每个串联声波谐振器还包括在基底和底部电极之间形成的种子层，每个并联声波谐振器还包括在基底和质量负载层之间形成的种子层。

9.一种声波器件，其特征在于：包括：

(a)基底；

(b)至少一个并联声波谐振器，其中并联声波谐振器具有与基底相连的底部电极，顶部电极，夹在底部电极和顶部电极之间的压电层，在顶部电极上形成的钝化层，以及质量负载层，其中，质量负载层夹在基底和底部电极之间，或者夹在底部电极和压电层之间。

10.根据权利要求9所述的声波器件，其特征在于，还包括至少一个串联声波谐振器，所述的串联声波谐振器具有在基底上形成的底部电极、顶部电极、夹在底部电极和顶部电极之间的压电层以及在顶部电极上形成的钝化层。

11.根据权利要求10所述的声波器件，其特征在于，所述的至少一个串联声波谐振器和至少一个并联声波谐振器以栅格或梯形结构相互耦合。

12.根据权利要求9所述的声波器件，其特征在于，所述的质量负载层的厚度范围约为5nm～500nm。

13.一种声波器件，其特征在于：包括：

(a)基底；

(b)一个或多个串联声波谐振器，其中每个声波谐振器包括在基底上形成的第一复合层结构、在第一复合层结构上形成的底部电极、在底部电极上形成的压电层、在压电层上形成的顶部电极以及在顶部电极上形成的钝化层；

(c)一个或多个并联声波谐振器，其中每个并联声波谐振器包括在基底上形成的第二复合层结构、在第二复合层结构上形成的底部电极、在底部电极上形成的压电层、在压电层上形成的顶部电极以及在顶部电极上形成的钝化层，其中，所述的第二复合层结构包含质量负载层；

其中，一个或多个串联声波谐振器和一个或多个并联声波谐振器以栅格或梯形结构相互耦合。

14.根据权利要求13所述的声波器件，其特征在于，所述的第一复合层结构由多个高声阻抗层和低声阻抗层交替堆叠形成，所述的高声阻抗层与低声阻抗层交替沉积。