[发明专利]AB类放大器及其过温保护电路

权利要求书

1.一种AB类放大器的过温保护电路，所述AB类放大器连接反馈电阻及输入电阻，所述反馈电阻和所述输入电阻的比值控制所述AB类放大器的增益，其特征在于，该过温保护电路包括：

热相关增益控制单元，根据所述AB类放大器的温度，产生对应温度阈值的开关控制信号；

温控电阻，与所述反馈电阻并联，所述温控电阻包括开关及与开关对应连接的电阻，所述开关接收所述开关控制信号，受控于相应开关控制信号，所述开关在所述AB类放大器的温度到达温度阈值时，控制所述温控电阻，相应降低所述温控电阻的阻值。

2.如权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述温度阈值大于一个，所述开关控制信号的数目与温度阈值个数对应，所述开关及电阻的个数与温度阈值个数对应。

3.如权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述AB类放大器包括第一放大器和第二放大器；所述热相关增益控制单元，还根据所述AB类放大器的温度产生开闭信号，所述开闭信号控制第一放大器和第二放大器的开启和关闭；当所述AB类放大器的温度达到关闭温度时，所述热相关增益控制单元产生的开闭信号跳高，所述第一放大器和第二放大器接收所述开闭信号后被关闭；当所述AB类放大器的温度达到开启温度时，所述热相关增益控制单元产生的开闭信号跳低，所述第一放大器和第二放大器接收所述开闭信号后被开启。

4.如权利要求3所述的过温保护电路，其特征在于，所述关闭温度大于所述温度阈值，所述开启温度小于所述温度阈值。

5.如权利要求1-4中任一项所述的过温保护电路，其特征在于，所述热相关增益控制单元包括若干控制信号产生电路，各控制信号产生电路根据其对应的温度阈值产生开关控制信号；当所述AB类放大器的温度达到或超过该控制信号产生电路对应的温度阈值时，该控制信号产生电路产生闭合对应开关的开关控制信号；当所述AB类放大器的温度小于该控制信号产生电路对应的温度阈值时，该控制信号产生电路产生断开对应开关的开关控制信号。

6.如权利要求5所述的过温保护电路，其特征在于，所述控制信号产生电路包括比较电压产生电路、比较器、放大电路；所述比较电压产生电路产生第一比较电压、第二比较电压，所述第一比较电压为正温度系数电压，所述第二比较电压为负温度系数电压；所述比较器的正输入端接收所述第一比较电压，所述比较器的负输入端接收所述第二比较电压，所述比较器的输出端输出比较信号；所述放大电路将所述比较信号放大后产生开关控制信号。

7.如权利要求6所述的过温保护电路，其特征在于，当所述AB类放大器的温度低于该控制信号产生电路对应的温度阈值时，所述第二比较电压大于所述第一比较电压，所述比较器输出比较信号为低电平，所述放大电路将所述比较信号放大后产生断开开关的开关控制信号，当所述AB类放大器的温度高于或等于该控制信号产生电路对应的温度阈值时，所述第一比较电压大于或等于所述第二比较电压，所述比较器输出比较信号为高电平，所述放大电路将所述比较信号放大后产生闭合开关的开关控制信号。

8.如权利要求6所述的过温保护电路，其特征在于，所述比较电压产生电路包括：第一PNP型三极管、第二PNP型三极管、第一N型场效应管、第二N型场效应管、第一P型场效应管、第二P型场效应管、第三P型场效应管、第一电阻、第二电阻，所述第二PNP型三极管的面积大于所述第一PNP型三极管的面积；所述第一PNP型三极管、第二PNP型三极管的基极接地，所述第一PNP型三极管、第二PNP型三极管的集电极接地；所述第一电阻一端为第二电压端，所述第二电压端连接所述第二PNP型三极管的发射极，所述第一电阻另一端连接所述第二N型场效应管的漏极；第一N型场效应管、第二N型场效应管的栅极相连，所述第一N型场效应管源极接所述第一PNP型三极管的发射极，所述第一N型场效应管的漏极和栅极相连；所述第一P型场效应管、第二P型场效应管的栅极相连，所述第一P型场效应管、第二P型场效应管的源极接电源，所述第一P型场效应管的漏极接第一N型场效应管的漏极，所述第二P型场效应管的漏极接第二N型场效应管的漏极，所述第二P型场效应管的栅极和漏极相连；所述第三P型场效应管与第二P型场效应管的栅极相连，所述第三P型场效应管的源极接电源；所述第二电阻一端为第一电压端，所述第一电压端接所述第三P型场效应管的漏极，所述第二电阻另一端接地。