[发明专利]基于头外空间磁场重构的脑磁源定位方法无效

专利信息
申请号: 201110024299.0 申请日: 2011-01-22
公开(公告)号: CN102048536A 公开(公告)日: 2011-05-11
发明(设计)人: 付新;申慧敏;胡亮;刘伟庭 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: A61B5/05 分类号: A61B5/05;A61B5/00
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 林怀禹
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 基于 空间 磁场 脑磁源 定位 方法
【权利要求书】:

1. 一种基于头外空间磁场重构的脑磁源定位方法,其特征在于该方法的步骤如下:

1)基于大脑内部神经元活动在头外空间产生相应磁场,通过磁场测量传感器测量头外部表层法向磁通密度分布;

2)以头外部表层法向磁通密度为边界条件重构出头外空间的三维脑磁场分布;

3)联合头外部表层测量所得脑磁场法向磁通密度数据与重构所得头外空间的三维脑磁场分布相对头皮的法向磁通密度数据,对脑内活动神经元,即脑磁源,的空间位置、姿态与强度参数进行逆向求解,实现脑磁源定位。

2. 根据权利要求1所述的一种基于头外空间磁场重构的脑磁源定位方法,其特征在于:所述步骤1)中磁场测量传感器测量头外部表层法向磁通密度分布,是利用不含导磁材料的磁场测量传感器测量头外部表层法向磁通密度分布,以保证头外空间磁场的无旋特性。

3. 根据权利要求1所述的一种基于头外空间磁场重构的脑磁源定位方法,其特征在于:所述步骤2)中头外空间的三维脑磁场分布的重构,是基于头外空间磁场的无旋特性,以标量磁势拉普拉斯方程描述该部分空间磁场,以磁场测量传感器测量所得头外部表层法向磁通密度分布为边界条件求解该拉普拉斯方程,从而重构出头外空间的三维脑磁场分布,所需重构的头外空间磁场位置点的选取以所在位置处信噪比为判定依据。

4. 根据权利要求1所述的一种基于头外空间磁场重构的脑磁源定位方法,其特征在于:所述步骤3)中脑内活动神经元,即脑磁源,采用电偶极子模型进行参数化描述,以电偶极子三维空间位置坐标、三维空间指向及偶极矩强度共7个参数描述脑磁源定位信息,基于非线性迭代优化算法逆向求解电偶极子参数,使参数计算所得的头外部表层脑磁场法向磁通密度分布及头外空间脑磁场分布与实际测量、重构所得数据误差最小,优化所得电偶极子参数即为脑磁源定位信息。

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