[发明专利]用于无源超高频射频识别的微功耗温度检测电路有效

专利信息
申请号: 201110024519.X 申请日: 2011-01-21
公开(公告)号: CN102175338A 公开(公告)日: 2011-09-07
发明(设计)人: 庄奕琪;李小明;齐增卫;杜永乾;刘伟峰;唐龙飞 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: G01K7/01 分类号: G01K7/01
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华;朱红星
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 无源 超高频 射频 识别 功耗 温度 检测 电路
【权利要求书】:

1.一种可用于无源超高频射频识别的微功耗温度检测电路,其特征在于包括:

基准电路(101),用于提供整体电路的偏置电流,同时为第二压控振荡器(102)提供参考电压;

VBE产生电路(106),用于为第一压控振荡器(107)输出参考电压;

第一压控振荡器(107),其输出经过分频器(108)分频后为计数器(105)提供使能信号;

第二压控振荡器(102),用于为计数器(105)输出时钟信号;

计数器(105),用于实现计数操作,并输出最终的电路结果;

计数器控制电路(104),用于控制计数器实现相减的操作,同时控制基准电路(101)为VBE产生电路(106)输出基准电流;

振荡器关断电路(103),用于在检测完成之后关断第一压控振荡器(107)和第二压控振荡器(102);

所述的第一压控振荡器(107)与第二压控振荡器(102)结构完全相同,以提高抗工艺涨落性能。

2.根据权利要求1所述的微功耗温度检测电路,其特征在于压控振荡器,包括:

比较器(202),其负输入端接参考电压,正输入端接电容(201)上极板,用于控制充电电容(201)上的最高电压;

三个级联反相器(203,204,205),它们依次连接,其输入与比较器(202)输出连接,输出与电容充放电控制电路(206)连接,以给电容(201)充电或者放电,同时提供电容(201)的放电延时;

电容充放电控制电路(206),其输入与反相器(205)的输出连接,以控制电容(201)的充电或者放电操作,其输出与电容(201)的上极板连接;

NMOS开关管(207),其栅极与振荡器关断电路(103)的输出连接,漏极与比较器(202)的输出连接,控制比较器(202)输出在检测完成后置位于低电平。

3.根据权利要求1所述的微功耗温度检测电路,其特征在于计数器控制电路(104),包括:

下降沿敏感的T触发器(301),其输入与分频器(108)的输出连接,用来检测分频器(108)输出信号的第一个下降沿,其输出与NMOS开关管(302)栅极连接;

NMOS开关管(302),其漏极与电流源(307)连接,源极与电容(305)上极板连接,栅极与下降沿敏感的T触发器(301)的输出连接,用于控制是否给电容(305)充电;

PMOS开关管(306),其漏极与电容(305)上极板连接,源极接地,栅极与外部Reset信号连接,用于复位电容(305)上的电压至低电平;

两个级联缓冲器(303,304),其输入为电容(305)上的电压,用于提供足够的驱动能力,输出给计数器(105)和基准电路(101)。

4.根据权利要求1所述的微功耗温度检测电路,其特征在于振荡器关断电路(103),包括:

两个级联下降沿敏感的T触发器(401,402),其输入与分频器(108)输出连接,用来检测分频器(108)输出信号的第二个下降沿,其输出与NMOS开关管(403)栅极连接;

NMOS开关管(403),输入为下降沿敏感的T触发器(402)的输出,用于控制是否给电容(406)充电,其漏极与电流源(408)连接,源极与电容(406)的上极板连接;

PMOS开关管(407),输入为外部Reset信号,用于复位电容(406)上的电压至低电平,其漏极与电容(406)的上极板连接,源极接地;

两个级联缓冲器(404,405),输入为电容(406)上的电压,用于提供足够的驱动能力,输出给第一振荡器(107)和第二振荡器(102)。

5.根据权利要求1所述的微功耗温度检测电路,其特征在于分频器(108),包括:

四个级联的下降沿敏感T触发器,它们依次连接,其输入与第一压控振荡器(107)的输出连接,输出与六个级联的上升沿敏感T触发器相连,通过该下降沿敏感的触发器,避免振荡器工作初期的不稳定状态对输出结果的影响;

六个级联的上升沿敏感T触发器,它们依次连接,其输入与四个级联的下降沿敏感T触发器输出连接,输出作为计数器(105)的使能信号,通过该上升沿敏感的T触发器,避免检测时间过多的浪费。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学,未经西安电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110024519.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top