[发明专利]一种带有衬底聚光反射镜的LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种带有衬底聚光反射镜的LED芯片，包括芯片上表面(6)和芯片下表面(7)，其特征在于：所述芯片下表面(7)上设有具有对入射光反射后起到会聚作用的聚光反射镜阵列(8)。

2.如权利要求1所述的一种带有衬底聚光反射镜的LED芯片，其特征在于：所述聚光反射镜阵列(8)包括若干个同一类型的聚光反射镜。

3.如权利要求2所述的一种带有衬底聚光反射镜的LED芯片，其特征在于：所述聚光反射镜阵列(8)为矩形阵列。

4.如权利要求3所述的一种带有衬底聚光反射镜的LED芯片，其特征在于：所述聚光反射镜的横向截面为矩形、纵向剖面为倒梯型。

5.如权利要求4所述的一种带有衬底聚光反射镜的LED芯片，其特征在于：所述聚光反射镜阵列(8)包括若干个纵横交错的切割道，相邻交叉的切割道之间形成聚光反射镜。

6.如权利要求5所述的一种带有衬底聚光反射镜的LED芯片，其特征在于：所述切割道的间距为0.06～0.4mm×0.06～0.4mm，切割道深度为5～30μm。

7.如权利要求3所述的一种带有衬底聚光反射镜的LED芯片，其特征在于：所述聚光反射镜的横向截面为圆形、纵向剖面为倒梯型。

8.如权利要求7所述的一种带有衬底聚光反射镜的LED芯片，其特征在于：所述聚光反射镜位于芯片下表面(7)上的直径为50μm，其深度为10μm，相邻的聚光反射镜之间的间距为50μm。

9.如权利要求1所述的一种带有衬底聚光反射镜的LED芯片，其特征在于：所述聚光反射镜阵列(8)包括若干个不同类型的聚光反射镜。

10.如权利要求9所述的一种带有衬底聚光反射镜的LED芯片，其特征在于：所述若干个聚光反射镜的纵向截面是倒锥型、半球型、双曲型、倒梯型或折面型中的其中至少任两种的组合。

11.如权利要求2-10其中之一所述的一种带有衬底聚光反射镜的LED芯片，其特征在于：所述聚光反射镜的外壁上蒸镀有高反射率光学反射膜(9)。

12.如权利要求11所述的一种带有衬底聚光反射镜的LED芯片，其特征在于：所述高反射率光学反射膜(9)由高反射率金属材料制成。

13.如权利要求12所述的一种带有衬底聚光反射镜的LED芯片，其特征在于：所述高反射率金属材料为Al或Ag。

14.如权利要求11所述的一种带有衬底聚光反射镜的LED芯片，其特征在于：所述高反射率光学反射膜(9)由介质材料SiO2、Si、TiO2、MgF2、Al2O3中的至少任两种组合组成的分布布拉格反射镜构成。

15.一种如权利要求1～6其中之一所述的带有衬底聚光反射镜的LED芯片的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：首先采用金刚石切割刀对芯片下表面(7)进行切割制成纵横交错的切割道，相邻交叉的切割道之间形成聚光反射镜，若干个聚光反射镜组成聚光反射镜阵列(8)。

16.一种如权利要求1～6其中之一所述的带有衬底聚光反射镜的LED芯片的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：首先采用激光对芯片下表面(7)进行切割制成纵横交错的切割道，相邻交叉的切割道之间形成聚光反射镜，若干个聚光反射镜组成聚光反射镜阵列(8)。

17.一种如权利要求7或8所述的带有衬底聚光反射镜的LED芯片的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：首先通过光刻在芯片下表面(7)上制作若干个直径为50微米的圆形保护膜，然后应用磷酸系列的混合腐蚀液在250摄氏度的温度下对芯片下表面(7)上圆形保护膜以外的区域进行腐蚀，腐蚀深度10微米，由此制作出聚光反射镜阵列(8)。

18.一种如权利要求7或8所述的带有衬底聚光反射镜的LED芯片的制作方法，其特征在于：包括以下步骤，首先通过光刻在芯片下表面(7)上制作若干个直径为50微米的圆形保护膜，然后采用等离子体刻蚀设备对芯片下表面(7)上圆形保护膜以外的区域进行刻蚀，刻蚀深度10微米，由此制作出聚光反射镜阵列(8)。