[发明专利]一种硅基单片集成声纳基阵无效
| 申请号： | 201110024893.X | 申请日： | 2011-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN102176006A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 张文栋;薛晨阳;张国军;关凌纲;熊继军;刘细宝;王晓瑶;许姣 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | G01S7/52 | 分类号： | G01S7/52;G01S7/521 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 030051 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单片 集成 声纳 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基单片集成声纳基阵，其特征在于，包括悬臂梁式敏感阵列结构、透声护套、支撑结构；悬臂梁式敏感结构阵列结构固定在支撑结构上；悬臂梁式敏感结构阵列结构设置在透声护套内，并固定，透声护套内注入绝缘介质油，悬臂梁式敏感阵列结构浸润在绝缘介质油；密封并且透声护套整体做水密处理。
2.根据权利要求1所述的硅基单片集成声纳基阵，其特征在于，透声护套采用聚氨酯透声材料制作。
3.根据权利要求1所述的硅基单片集成声纳基阵，其特征在于，绝缘介质油采用轻蜡油材料。
4.根据权利要求1所述的硅基单片集成声纳基阵，其特征在于，所述悬臂梁式敏感阵列结构包括若干独立阵元，各独立阵元包括硅梁、硅梁根部的压敏电阻R1、支撑基座上的电阻R2、R3、R4连接构成的惠斯通电桥、金属引线。
5.根据权利要求4所述的硅基单片集成声纳基阵，其特征在于，所述相邻两个独立阵元间距为所要接收信号的中心频率对应波长的二分之一。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中北大学，未经中北大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110024893.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
