[发明专利]纳米减反薄膜或增透膜以及光学或光电器件的制备方法无效
申请号: | 201110024964.6 | 申请日: | 2011-01-24 |
公开(公告)号: | CN102169195A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
发明(设计)人: | 王荣新;邢政;张晓东;李晓伟;张宝顺;杨辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | G02B1/11 | 分类号: | G02B1/11 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 薄膜 增透膜 以及 光学 光电 器件 制备 方法 | ||
1.一种纳米减反薄膜或增透膜的制备方法,其特征在于,该方法为:至少在光学或光电器件的采光窗口上采用透明纳米材料组装形成至少一层与采光窗口表面结构层具有大于0°夹角的纳米阵列结构的减反薄膜或增透膜。
2.根据权利要求1所述的纳米减反薄膜或增透膜的制备方法,其特征在于,该方法中,是采用物理或化学沉积的方法在器件的采光窗口组装形成纳米阵列结构的,所述物理或化学沉积的方法包括蒸发、溅射、激光沉积、旋涂、印刷、喷涂、CVD、PVD、VPD、化学水热、化学微乳胶、化学溶胶凝胶、化学液相沉积中的任意一种或两种以上的组合。
3.根据权利要求1所述的纳米减反薄膜或增透膜的制备方法,其特征在于,所述透明纳米材料为氧化锌、氧化钛、氮化硅、氧化硅、氧化钽、氧化锆、氧化铝、氧化铟、氧化锡、氧化镓、掺锡氧化铟、氟化掺锡氧化铟、掺氟氧化铟、掺氟氧化锡、掺铝氧化锌、掺镓氧化锌、硫化锌、硒化锌和氟化镁中的任意一种或两种以上的组合。
4.根据权利要求1所述的纳米减反薄膜或增透膜的制备方法,其特征在于,所述减反薄膜主要由具有折射梯度的纳米氧化锌阵列结构组成。
5.根据权利要求1所述的纳米减反薄膜的制备方法,其特征在于,所述减反薄膜为复合减反薄膜或增透膜,其包括由具有折射梯度的纳米氧化锌阵列结构组成的减反薄膜或增透膜结构以及由氧化钛、氮化硅、氧化硅、氧化钽、氧化锆、氧化铝、氧化铟、氧化锡、氧化镓、掺锡氧化铟、氟化掺锡氧化铟、掺氟氧化铟、掺氟氧化锡、掺铝氧化锌、掺镓氧化锌、氧化锌、硫化锌、硒化锌和氟化镁中的任意一种或两种以上的组合形成的至少一层减反薄膜或增透膜结构。
6.一种光学或光电器件的制备方法,其特征在于,该方法为:至少在所述器件的采光窗口上采用透明纳米材料组装形成至少一层与采光窗口表面结构层具有大于0°夹角的纳米阵列结构的减反薄膜或增透膜,从而提高入射电磁波进入器件结构层的区域和/或入射比例。
7.根据权利要求6所述的光学或光电器件的制备方法,其特征在于,该方法中,是采用物理或化学沉积的方法在器件的采光窗口组装形成纳米阵列结构的,所述物理或化学沉积的方法包括蒸发、溅射、激光沉积、旋涂、印刷、喷涂、CVD、PVD、VPD、化学水热、化学微乳胶、化学溶胶凝胶、化学液相沉积中的任意一种或两种以上的组合
8.根据权利要求6所述的光学或光电器件的制备方法,其特征在于,所述透明纳米材料为氧化锌、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氧化钽、氧化锆、氧化铝、氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化镓、掺锡氧化铟、氟化掺锡氧化铟、掺氟氧化铟、掺氟氧化锡、掺铝氧化锌、掺镓氧化锌、硫化锌、硒化锌和氟化镁中的任意一种或两种以上的组合。
9.根据权利要求6所述的光学或光电器件的制备方法,其特征在于,所述减反薄膜或增透膜主要由具有折射梯度的纳米氧化锌阵列结构组成。
10.根据权利要求6所述的光学或光电器件的制备方法,其特征在于,所述减反薄膜为复合减反薄膜或增透膜,其包括由具有折射梯度的纳米氧化锌阵列结构组成的减反薄膜结构以及由氧化钛、氮化硅、氧化硅、氧化钽、氧化锆、氧化铝、氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化镓、掺锡氧化铟、氟化掺锡氧化铟、掺氟氧化铟、掺氟氧化锡、掺铝氧化锌、掺镓氧化锌、硫化锌、硒化锌和氟化镁中的任意一种或两种以上的组合形成的至少一层减反薄膜或增透膜结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110024964.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:数据存储器固定装置
- 下一篇:阻燃增塑剂甲基硅酸酯化合物及其制备方法