[发明专利]光刻机进行工程光刻露光时的对准方法无效
申请号: | 201110025058.8 | 申请日: | 2011-01-24 |
公开(公告)号: | CN102608879A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 娄迪 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00;G03F7/20 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 孙大为 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 进行 工程 露光 对准 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体生产过程中使用的露光装置。
背景技术
目前,光刻机在进行第一层工程光刻露光时候,主要依靠设备本身机械精度以及对NOTCH(OF)侧的检知来保证光刻图形和本硅片之间的精度误差。这种误差随着设备的老化以及其他种种原因会变得较大,尤其是图形和硅片本身之间的旋转误差(WAFER ROTATION),从而影响之后各工程对当前层的对准。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种光刻机进行工程光刻露光时的对准方法,它可以减少第一层工程光刻露光时候的图形旋转误差。
为了解决以上技术问题,本发明提供了一种光刻机进行工程光刻露光时的对准方法;包括以下步骤:在光刻机的载片台上安装摄像头,使其与载片台的先对位置固定;硅片被送上载片台,摄像头对其进行影像捕捉;计算出硅片和载片台之间的旋转量;升起安装在载片台中央带有真空吸附的顶针,通过其沿圆周方向的运动进行对硅片旋转量的补正;降下顶针,光刻机进行工作。
本发明的有益效果在于:通过在光刻机的载片台加装一个摄像头,通过光学影像识别的方法计算硅片的旋转量;并通过载片台上的顶针的运动来进行补偿,从而减少第一层工程光刻露光时候的图形旋转误差。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1是光刻机进行第一层工程光刻露光时的对准机构示意图。
图2是本发明所述采集自CCD摄像头的NOTCH影像示意图。
图3是本发明所述采集自CCD摄像头的OF影像示意图。
图4是本发明所述光刻机载片台上的顶针示意图。
具体实施方式
本发明提出一种方法,通过在光刻机的载片台NOTCH(OF)侧加装一个CCD摄像头,摄像头位置与光刻机的载片台位置为相对固定位置。通过光学影像捕捉的方式检知NOTCH(OF)。
1.NOTCH情况:从捕捉到的影像中可以测量得到硅片边界与影像边界的2个交界点(图2中的A点和B点)以及NOTCH的顶点(图2中的C点)与基准位置(图2中虚线表示的位置)的距离(图2中的X,Y,Z),从而通过预设的算法来计算出硅片与载片台之间的旋转误差。通过载片台上的3根顶针(图4)的沿圆周方向的的运动来进行补偿。
2.OF情况:从捕捉到的影像中可以测量得到硅片边界与影像边界的2个交界点(图3中的A点和B点)与基准位置(图3中虚线表示的位置)的距离(图2中的X,Y),从而通过预设的算法来计算出硅片语于载片台之间的旋转误差。通过载片台上的3根顶针(图4)的沿圆周方向的的运动来进行补偿。
本发明所述方法包括以下步骤:
(1)按照本发明要求在光刻机的载片台上加装CCD摄像头,确保其与载片台的先对固定位置。
(2)当硅片被送上载片台的时候且完成NOTCH(OF)测粗对准后,摄像头对其进行影像捕捉。
(3)通过预设的算法计算出硅片和载片台之间的旋转量。
(4)升起安装在载片台中央的3根顶针(带有真空吸附),通过其沿圆周方向的运动进行对硅片旋转量的补正。
(5)降下顶针,光刻机进行后续工作。
本发明并不限于上文讨论的实施方式。以上对具体实施方式的描述旨在于为了描述和说明本发明涉及的技术方案。基于本发明启示的显而易见的变换或替代也应当被认为落入本发明的保护范围。以上的具体实施方式用来揭示本发明的最佳实施方法,以使得本领域的普通技术人员能够应用本发明的多种实施方式以及多种替代方式来达到本发明的目的。
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