[发明专利]芯片堆叠结构与其芯片堆叠方法

权利要求书

1.一种芯片堆叠结构，其特征在于该芯片堆叠结构包括：

一第一芯片，具有一第一沟槽与一第一金属垫，该第一沟槽配置于该第一芯片的侧面，该第一金属垫配置于该第一芯片的顶面且连接于该第一沟槽的上开口端；以及

一第二芯片，堆叠在该第一芯片之上，该第二芯片具有一第二沟槽，该第二沟槽配置于该第二芯片的侧面；

其中，该第一沟槽与该第二沟槽对位配置以形成一连接沟槽，且一导电薄膜形成于该连接沟槽中与该第一金属垫上以连接该第一芯片与该第二芯片。

2.如权利要求1所述的芯片堆叠结构，其特征在于该第一沟槽与该第二沟槽利用硅穿孔方式形成。

3.如权利要求1所述的芯片堆叠结构，其特征在于该导电薄膜利用无电解电镀方式形成于该连接沟槽中。

4.如权利要求1所述的芯片堆叠结构，其特征在于该第二芯片还包括一第二金属垫，该第二金属垫配置于该第二芯片的底面且连接于该第二沟槽的下开口端，其中该第一金属垫面向该第二金属垫。

5.如权利要求1所述的芯片堆叠结构，其特征在于该第一芯片还包括一第二金属垫，该第二金属垫配置于该第一芯片的底面且连接于该第一沟槽的下开口端。

6.如权利要求1所述的芯片堆叠结构，其特征在于该第一芯片还包括：

多个第三沟槽，配置于该第一芯片的侧面；以及

多个第二金属垫，配置于该第一芯片的顶面上且分别连接至所述第三沟槽的上开口端；

其中，该第二芯片还包括：

多个第四沟槽，配置于该第二芯片的侧面；

其中，所述第三沟槽与所述第四沟槽对位配置以形成多个第二连接沟槽，且多个第二导电薄膜分别形成于所述第二连接沟槽中与所述第二金属垫上以连接该第一芯片与该第二芯片。

7.一种芯片堆叠方法，其特征在于该芯片堆叠方法包括：

分别于多个芯片上形成多个金属垫；

在所述芯片的侧面形成多个对应于所述金属垫的沟槽；

堆叠所述芯片以使各该芯片的所述沟槽对位配置；以及

以无电解电镀方式在所述沟槽中与所述金属垫上形成导电薄膜以连接堆叠的各该芯片。