[发明专利]只读存储器单元阵列

权利要求书

1.一种只读存储器单元阵列，包括：

多个鳍式有源区，形成于一半导体基板上，并且沿着一第一方向延伸；

多个栅极，形成于上述鳍式有源区，并且沿着一第二方向延伸，上述第二方向垂直于上述第一方向；以及

多个只读存储器单元，由上述鳍式有源区以及上述栅极形成，编码上述只读存储器单元，使得上述只读存储器单元的一第一子集中的每一个具有一源极电性连接至一较低电源供应线以及上述只读存储器单元的一第二子集中的每一个具有电性绝缘的一源极，其中

上述第一子集的每一上述只读存储器单元，包括一漏极接触垫具有一第一接触垫区域以及一源极接触垫具有一第二接触垫区域，上述第二接触垫区域至少大于上述第一接触垫区域百分之三十。

2.如权利要求1所述的只读存储器单元阵列，其中上述源极接触垫包括一第一尺寸位于上述第一方向以及一第二尺寸位于上述第二方向，上述第二尺寸至少大于上述第一尺寸百分之三十。

3.如权利要求1所述的只读存储器单元阵列，其中每一上述只读存储器单元包括多个鳍式场效应晶体管。

4.如权利要求1所述的只读存储器单元阵列，其中每一上述只读存储器单元包括一第一较低电源供应线以及一第二较低电源供应线，上述第一较低电源供应线与上述第二较低电源供应线位于互相垂直的方向、形成于不同的金属层内并且彼此电性耦接。

5.一种只读存储器单元阵列，包括：

多个鳍式有源区，形成于一半导体基板上并且位于一第一方向；

多个栅极，形成于上述鳍式有源区并且位于一第二方向，上述第二方向垂直于上述第一方向；以及

多个只读存储器单元，用以存储数据，由上述鳍式有源区以及上述栅极形成，编码上述多个只读存储器单元，使得上述只读存储器单元的一第一子集中的每一个具有一源极电性连接至一较低电源供应线以及上述只读存储器单元的一第二子集中的每一个具有电性绝缘的一源极，每一上述只读存储器单元包括至少两个鳍式场效应晶体管，分别形成于上述鳍式有源区以及分别位于上述鳍式有源区与上述栅极的交会点，其中：

每一上述只读存储器单元包括一第一间距位于两个相邻的上述只读存储器单元内的上述鳍式有源区之间，以及一第二间距位于两个相邻的上述只读存储器单元间的上述鳍式有源区之间，上述第一及第二间距之间具有一间距比例，上述间距比例大于1.5；并且

每一上述鳍式场效应晶体管包括一栅极电性连接至一字元线，以及一源极电性连接至一位元线。

6.如权利要求5所述的只读存储器单元阵列，其中上述第一子集的每一上述只读存储器单元包括一漏极接触垫具有一第一接触垫区域以及一源极接触垫具有一第二接触垫区域，上述第二接触垫区域大于上述第一接触垫区域，并且每一只读存储器单元包括两个漏极借由一硅外延彼此电性连接，以及一硅化物结构形成于上述硅外延上。

7.一种只读存储器单元阵列，包括：

多个鳍式有源区，形成于一半导体基板上并且位于一第一方向；

多个栅极，形成于上述鳍式有源区并且位于一第二方向，上述第二方向垂直于上述第一方向；以及

多个只读存储器单元，用以存储数据，由上述鳍式有源区以及上述栅极形成，编码上述多个只读存储器单元，使得上述只读存储器单元的一第一子集中的每一个具有一源极电性连接至一较低电源供应线以及上述只读存储器单元的一第二子集中的每一个具有电性绝缘的一源极，以及每一上述只读存储器单元包括：

一第一间距位于两个相邻的上述只读存储器单元内的上述鳍式有源区之间，以及一第二间距位于两个相邻的上述只读存储器单元间的上述鳍式有源区之间，上述第一及第二间距之间具有一间距比例，上述间距比例大于1.5；以及

至少两个鳍式场效应晶体管，分别形成于上述鳍式有源区以及分别位于上述鳍式有源区与上述栅极的交会点，其中上述至少两个鳍式场效应晶体管的两个漏极借由形成于上述硅外延上的一硅化物结构而彼此电性连接。

8.如权利要求7所述的只读存储器单元阵列，其中每一上述只读存储器单元包括至少三个上述的鳍式场效应晶体管分别形成于至少三个上述鳍式有源区上，并且上述至少三个上述鳍式有源区中任何两个相邻的上述鳍式有源区相隔上述第一间距；以及

上述只读存储器单元阵列由一接触层所编码，上述接触层定义上述第一子集的上述只读存储器单元中的多个源极接触垫。