[发明专利]静态随机存取存储器以及静态随机存取存储器方法

权利要求书

1.一种静态随机存取存储器，包括：

至少二存储器单元，共用一读取位元线以及一写入位元线，各上述存储器单元分别耦接至对应的读取字线以及写入字线；以及

一写入追踪控制电路，耦接至上述存储器单元以决定上述存储器单元的一写入时间，

其中上述写入追踪控制电路接收一输入电压以及提供一输出电压，且于一写入追踪操作期间设定各上述存储器单元的上述读取字线以及写入字线。

2.如权利要求1所述的静态随机存取存储器，其中上述写入追踪控制电路用以提供上述存储器单元的一平均写入时间。

3.如权利要求1所述的静态随机存取存储器，其中上述写入追踪控制电路用以于上述写入追踪操作期间接收上述输入电压，上述输入电压用以同时写入各上述存储器单元，上述写入追踪控制电路用以于上述写入追踪操作期间根据耦接至上述存储器单元的上述读取位元线的一读取电压提供上述输出电压，且上述写入追踪控制电路用以根据上述输入电压以及上述输出电压之间的一时间延迟决定用于一标准写入操作的上述写入字线的一脉冲宽度，上述输入电压由一输入电压节点所提供，而上述输出电压由一输出电压节点所提供。

4.如权利要求1所述的静态随机存取存储器，其中上述写入追踪控制电路包括耦接至上述写入位元线的一第一PMOS晶体管，且上述第一PMOS晶体管用以于上述写入追踪操作对上述写入位元线预充电，上述写入追踪控制电路还包括耦接于上述输入电压节点以及上述第一PMOS晶体管之间的一第一延迟电路，且上述写入追踪控制电路还包括耦接至上述读取位元线的一第二PMOS晶体管，且上述第二PMOS晶体管用以于上述写入追踪操作对上述读取位元线预充电，上述写入追踪控制电路还包括耦接于上述写入位元线以及上述第二PMOS晶体管之间的一第二延迟电路。

5.一种静态随机存取存储器方法，适用于一静态随机存取存储器，包括：

于一写入追踪操作下同时写入一数据至共用一读取位元线以及一写入位元线的至少二存储器单元；

从上述读取位元线读取写入至上述存储器单元的上述数据；以及

利用一写入追踪控制电路决定上述静态随机存取存储器的一写入时间。

6.如权利要求5所述的静态随机存取存储器方法，还包括：

借由上述写入追踪控制电路接收一输入电压作为写入至上述存储器单元的上述数据；以及

借由上述写入追踪控制电路提供一输出电压作为读取上述读取位元线的上述数据。

7.如权利要求5所述的静态随机存取存储器方法，还包括利用写入追踪控制电路提供上述存储器单元的一平均写入时间。

8.如权利要求5所述的静态随机存取存储器方法，还包括：

利用写入追踪控制电路决定用于一标准写入操作的上述存储器单元的上述写入字线的一脉冲宽度；

利用写入追踪控制电路中一第一PMOS晶体管于上述写入追踪操作对上述写入位元线预充电；以及

利用写入追踪控制电路中一第二PMOS晶体管于上述写入追踪操作对上述读取位元线预充电。

9.一种静态随机存取存储器，包括：

至少二存储器单元，共用一读取位元线以及一写入位元线，各上述存储器单元分别耦接至对应的读取字线以及写入字线；以及

一写入追踪控制电路，耦接至上述存储器单元以决定上述存储器单元的一写入时间，上述写入追踪控制电路包括一第一PMOS晶体管，上述第一PMOS晶体管用以对上述写入位元线预充电，以及一第二PMOS晶体管，上述第二PMOS晶体管用以对上述读取位元线预充电，

其中上述写入追踪控制电路接收一输入电压，其中于上述写入追踪操作期间上述输入电压同时写入存储器单元，于上述写入追踪操作期间根据耦接至上述存储器单元的上述读取位元线提供一输出电压，且于一写入追踪操作期间可设定各上述存储器单元的上述读取字线以及写入字线。

10.如权利要求9所述的静态随机存取存储器，其中上述写入追踪控制电路用以根据上述输入电压以及上述输出电压之间的一时间延迟决定用于一标准写入操作的上述写入字线的一脉冲宽度。