[发明专利]有机电激发光显示元件及其制造方法

权利要求书

1.一种有机电激发光显示元件，适于配置于一基板上，该有机电激发光显示元件包括：

一第一电极，配置于该基板上；

一第一掺杂载流子传输层，配置于该第一电极上；

一发光层，配置于该第一掺杂载流子传输层上；

一第二掺杂载流子传输层，配置于该发光层上，其中该第二掺杂载流子传输层具有一与该发光层接触的第一表面以及一与该第一表面相对的第二表面，该第一表面实质上为一平面，而该第二表面为一粗糙表面；以及

一第二电极，配置于该第二表面上。

2.如权利要求1所述的有机电激发光显示元件，其中该第一电极为一透明电极，而该第二电极为一反射电极。

3.如权利要求1所述的有机电激发光显示元件，其中该第二表面具有多个凸起微结构。

4.如权利要求1所述的有机电激发光显示元件，其中该第二表面的表面粗糙度(Ra)到达30nm～200nm。

5.如权利要求1所述的有机电激发光显示元件，其中该第一掺杂载流子传输层包括一空穴载流子传输层，而该第二掺杂载流子传输层包括一电子载流子传输层。

6.如权利要求1所述的有机电激发光显示元件，其中该第一掺杂载流子传输层包括一电子载流子传输层，而该第二掺杂载流子传输层包括一空穴载流子传输层。

7.如权利要求1所述的有机电激发光显示元件，其中该第二掺杂载流子传输层的厚度介于0.2微米至2微米之间。

8.如权利要求1所述的有机电激发光显示元件，其中该第二掺杂载流子传输层的厚度介于0.5微米至1微米之间。

9.如权利要求1所述的有机电激发光显示元件，其中该第二掺杂载流子传输层的玻璃转变温度(Tg)介于30℃至100℃之间。

10.如权利要求1所述的有机电激发光显示元件，其中该第二掺杂载流子传输层的玻璃转变温度(Tg)介于40℃至70℃之间。

11.如权利要求1所述的有机电激发光显示元件，其中该第二掺杂载流子传输层包括：

一第一薄膜，配置于该发光层上；以及

一第二薄膜，配置于该第一薄膜与该第二电极之间，其中该第一薄膜的玻璃转变温度(Tg)高于该第二薄膜的玻璃转变温度(Tg)。

12.如权利要求11所述的有机电激发光显示元件，其中该第二薄膜包含一负型掺杂层。

13.如权利要求11所述的有机电激发光显示元件，其中该第二薄膜包含一正型掺杂层。

14.一种有机电激发光显示元件的制造方法，包括：

于一基板上形成一第一电极；

于该第一电极上形成一第一掺杂载流子传输层；

于该第一掺杂载流子传输层上形成一发光层；

于该发光层上形成一第二掺杂载流子传输层，其中该第二掺杂载流子传输层具有一与该发光层接触的第一表面以及一与该第一表面相对的第二表面，该第一表面实质上为一平面，而该第二表面为一粗糙表面；以及

于该第二表面上形成一第二电极。

15.如权利要求14所述的有机电激发光显示元件的制造方法，其中该粗糙表面的形成方法包括：对该第二掺杂载流子传输层进行一热退火工艺。

16.如权利要求14所述的有机电激发光显示元件的制造方法，其中该热退火工艺的工艺温度介于50℃至120℃之间。

17.如权利要求14所述的有机电激发光显示元件的制造方法，其中该粗糙表面的形成方法包括：以一掩模为罩幕，对该第二掺杂载流子传输层进行一热蒸镀工艺。

18.如权利要求17所述的有机电激发光显示元件的制造方法，其中该掩模具有多个开口，而该些开口之间距介于10微米至30微米之间。