[发明专利]一种射频功率放大器多芯片模组及其生成方法

权利要求书

1.一种射频功率放大器多芯片模组，其特征在于，包括CMOS裸片和连接在该CMOS裸片之后的GaAs裸片和/或SiGe裸片，所述CMOS裸片中包含CMOS前级功率放大器，所述GaAs裸片中包含GaAs后级功率放大器，所述SiGe裸片中包含SiGe后级功率放大器。

2.根据权利要求1所述的射频功率放大器多芯片模组，其特征在于，还包括连接在所述GaAs裸片和/或SiGe裸片之后的PHEMT裸片、SOI裸片或SOS裸片，所述PHEMT裸片中包含PHEMT开关，所述SOI裸片中包含SOI开关，所述SOS裸片中包含SOS开关。

3.根据权利要求1所述的射频功率放大器多芯片模组，其特征在于，所述CMOS裸片中还包含与所述CMOS前级功率放大器相连的CMOS开关。

4.根据权利要求1所述的射频功率放大器多芯片模组，其特征在于，所述CMOS裸片中还包含与所述CMOS前级功率放大器相连的CMOS偏置电路。

5.根据权利要求2所述的射频功率放大器多芯片模组，其特征在于，所述CMOS裸片、GaAs裸片和/或SiGe裸片以及PHEMT裸片/SOI裸片/SOS裸片并列排布在基板上，通过邦定线WireBond相连。

6.根据权利要求2所述的射频功率放大器多芯片模组，其特征在于，所述CMOS裸片正面朝上置于基板上，所述GaAs裸片和/或SiGe裸片以及所述PHEMT裸片/SOI裸片/SOS裸片正面朝上置于所述CMOS裸片上方，通过邦定线WireBond互连。

7.根据权利要求2所述的射频功率放大器多芯片模组，其特征在于，所述CMOS裸片正面朝上置于基板上，所述GaAs裸片和/或SiGe裸片以及所述PHEMT裸片/SO工裸片/SOS裸片正面朝下置于所述CMOS裸片上方，通过铜柱与所述CMOS裸片互连，所述CMOS裸片通过邦定线WireBond与基板互连。

8.根据权利要求2所述的射频功率放大器多芯片模组，其特征在于，所述GaAs裸片和/或SiGe裸片以及所述PHEMT裸片/SOI裸片/SOS裸片倒扣在所述CMOS裸片上，通过铜柱与所述CMOS裸片互连，所述CMOS裸片倒扣在基板上，通过铜柱与基板互连。

9.根据权利要求1至8任一项所述的射频功率放大器多芯片模组，其特征在于，所述射频功率放大器多芯片模组为两级放大器，CMOS裸片提供第一级放大器，GaAs裸片或SiGe裸片提供第二级放大器。

10.根据权利要求1至8任一项所述的射频功率放大器多芯片模组，其特征在于，所述射频功率放大器多芯片模组为三级放大器，CMOS裸片提供第一级和第二级放大器，GaAs裸片或SiGe裸片提供第三级放大器；或者，CMOS裸片提供第一级放大器，GaAs裸片或SiGe裸片提供第二级和第三级放大器；或者，CMOS裸片提供第一级放大器，SiGe裸片提供第二级放大器，GaAs裸片提供第三级放大器。

11.根据权利要求1至8任一项所述的射频功率放大器多芯片模组，其特征在于，所述射频功率放大器多芯片模组为m+n级放大器，CMOS裸片提供前m级放大器，GaAs裸片和/或SiGe裸片提供后n级放大器，m、n为自然数，且m+n大于3。

12.一种射频功率放大器多芯片模组的生成方法，其特征在于，用CMOS工艺生成射频功率放大器的前级CMOS裸片，用GaAs工艺和/或SiGe工艺生成射频功率放大器的后级GaAs裸片和/或SiGe裸片，将所述GaAs裸片和/或SiGe裸片连接在所述CMOS裸片之后且与该CMOS裸片置于同一基板上，得到所述射频功率放大器多芯片模组。

13.根据权利要求12所述的射频功率放大器多芯片模组的生成方法，其特征在于，还包括，用PHEMT工艺生成PHEMT裸片，或者用SOI工艺生成SOI裸片，或者用SOS工艺生成SOS裸片，将所述PHEMT裸片、SOI裸片或SOS裸片连接在所述GaAs裸片和/或SiGe裸片之后，且与所述CMOS裸片、所述GaAs裸片和/或SiGe裸片置于同一基板上。