[发明专利]氮化物半导体激光装置

权利要求书

1.一种氮化物半导体激光装置，其特征在于，具有：

形成在基板之上的第一导电性复合层；

形成在所述第一导电性复合层之上的活性层；

形成在所述活性层之上，且具有沿光的射出方向延伸的剖面凸状的脊形部和位于该脊形部的两侧方的平坦部的第二导电性复合层；

分别形成在各所述平坦部之上，且具有相对于振荡波长比所述第二导电性复合层大的光吸收系数的光吸收层；

形成在包含所述光吸收层的、所述第二导电性复合层的所述平坦部及所述脊形部的侧面的绝缘膜，

所述光吸收层具有：

设置在射出端面侧，且从作为所述脊形部的长度方向中的线对称轴的脊形部中心到所述光吸收层的所述脊形部侧的端面的距离为Di1的第一区域；

与所述第一区域连续或隔有间隔地设置在所述射出端面的相反侧，且从所述脊形部中心到所述光吸收层的所述脊形部侧的端面的距离为Di2的第二区域，

所述Di1和所述Di2的关系满足Di1＜Di2。

2.如权利要求1所述的氮化物半导体激光装置，其特征在于，

在所述第二区域中，距离Di1连续变化到距离Di2。

3.如权利要求1或2所述的氮化物半导体激光装置，其特征在于，

所述光吸收层对在所述第一区域中束径在规定的范围外的大小的激光束进行吸收。

4.如权利要求1或2所述的氮化物半导体激光装置，其特征在于，

所述第二导电性复合层的所述平坦部的厚度在10nm以上且70nm以下。

5.如权利要求1或2所述的氮化物半导体激光装置，其特征在于，

所述Di1在1.0μm以上且2.0μm以下。

6.如权利要求1或2所述的氮化物半导体激光装置，其特征在于，

所述Di2在2.5μm以上。

7.如权利要求1或2所述的氮化物半导体激光装置，其特征在于，

所述光吸收层中的所述第一区域的光的射出方向的长度在10μm以上且100μm以下。

8.如权利要求1或2所述的氮化物半导体激光装置，其特征在于，

所述光吸收层中的所述第二区域的光的射出方向的长度在30μm以上。

9.如权利要求1或2所述的氮化物半导体激光装置，其特征在于，

所述光吸收层中的所述第一区域的宽度在4μm以上且25μm以下。

10.如权利要求1或2所述的氮化物半导体激光装置，其特征在于，

所述光吸收层中的所述第一区域的厚度在20nm以上且140nm以下。

11.如权利要求1或2所述的氮化物半导体激光装置，其特征在于，

在所述第二区域与所述第一区域隔有间隔设置的情况下，所述第一区域和第二区域的间隔在10μm以下。

12.一种氮化物半导体激光装置，其特征在于，具有：

形成在基板之上的第一导电性复合层；

形成在所述第一导电性复合层之上的活性层；

形成在所述活性层之上，且具有沿光的射出方向延伸的剖面凸状的脊形部和位于该脊形部的两侧方的平坦部的第二导电性复合层；

与所述脊形部分别隔有间隔地形成在各所述平坦部之上，且具有相对于振荡波长比所述第二导电性复合层大的光吸收系数的光吸收层；

形成在包含所述光吸收层的、所述第二导电性复合层的所述平坦部及所述脊形部的侧面的绝缘膜，

所述光吸收层具有：

设置在所述光的射出端面侧且厚度为D1的第一区域；

与所述第一区域连接且厚度为D2的第二区域，

所述D1和所述D2的关系满足D1＞D2。

13.如权利要求1、2及12中任一项所述的氮化物半导体激光装置，其特征在于，

所述光吸收层由吸收波长为405nm频带的激光束的材料构成。

14.如权利要求13所述的氮化物半导体激光装置，其特征在于，

所述光吸收层由硅或非晶硅构成。

15.如权利要求12所述的氮化物半导体激光装置，其特征在于，

所述光吸收层的所述第二区域中的厚度D2在2nm以上且20nm以下。