[发明专利]薄膜磁传感器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110025835.9 申请日: 2011-01-20
公开(公告)号: CN102135605A 公开(公告)日: 2011-07-27
发明(设计)人: 小山惠史;今枝香织 申请(专利权)人: 大同特殊钢株式会社
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09;H01L43/12
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 丁业平;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 传感器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜磁传感器,包括:

具有巨磁阻效应的巨磁阻膜,以及

薄膜磁轭,每一个所述薄膜磁轭均包含软磁性材料并且与所述巨磁阻膜的两端电连接,

其中每一个所述薄膜磁轭均包括外磁轭和内磁轭,所述外磁轭包含第一软磁性材料并且设置在相对于所述巨磁阻膜的外侧;所述内磁轭包含第二软磁性材料并且设置在所述巨磁阻膜与所述外磁轭之间;

其中所述第一软磁性材料包含结晶性软磁性材料或微结晶性软磁性材料;

其中所述薄膜磁传感器是通过如下方式获得的:(1)依次形成各个所述外磁轭、所述巨磁阻膜和各个所述内磁轭,以及(2)在形成所述巨磁阻膜之前进行热处理以改善各个所述外磁轭的软磁特性;并且

其中各个所述内磁轭的长度L2均满足下式(a)和式(b):

L2/t1≥1           (a)

L2×100/(L1+L2)≤50(b)

其中,t1为各个所述外磁轭的厚度,L1为各个所述外磁轭的长度。

2.根据权利要求1所述的薄膜磁传感器,其中各个所述内磁轭的长度L2进一步满足下式(b’):

L2×100/(L1+L2)≤20(b’)。

3.根据权利要求1所述的薄膜磁传感器,其中所述第一软磁性材料包含选自由如下材料所构成的组中的至少一种:

(A)40%-90%Ni-Fe合金、Fe74Si9Al17、Fe12Ni82Nb6、Fe75.6Si13.2B8.5Nb1.9Cu0.8、Fe83Hf6C11、Fe85Zr10B5合金、Fe93Si3N4合金和Fe71B11N18合金;

(B)40%-90%Ni-Fe合金/SiO2多层膜;

(C)Fe71.3Nd9.6O19.1纳米颗粒合金、Co70Al10O20纳米颗粒合金和Co65Fe5Al10O20纳米颗粒合金;以及

(D)Co35Fe35Mg10F20纳米颗粒合金。

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