[发明专利]太阳能电池结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池结构，且尤其涉及一种具有多层结构的抗反射层的太阳能电池结构。

背景技术

一般电子设备大多由外来的交流电源提供电能而进行运作，其中交流电源的获得主要是利用燃烧石油的方式转换成所需能量。但因为地球石油的蕴藏量有限，必须寻找新的替代能源以避免能源枯竭的浩劫。另外，燃烧石油所产生的二氧化碳所造成温室效应而对地球环境造成的威胁，例如全球海平面的上升，全球气候异常等。干净能源的运用与发展成为未来必走的趋势。

太阳能是一种具有永不耗尽且无污染的能源，在解决目前石化能源所面临的污染与短缺的问题时，一直是最受瞩目的焦点。近年来，太阳能电池的光电转换效率持续且显著地提升，生产成本也逐渐降低。所以，太阳能电池的研究将成为全球新兴能源产业的重要议题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种太阳能电池结构，具备理想的信赖性。

本发明提出一种太阳能电池结构，包括一基板、一第一半导体硅膜层、一第一透明导电层、一第一保护层、一第一金属电极、一第二半导体硅膜层、一第二透明导电层以及一第二金属电极。第一半导体硅膜层配置于基板的一第一侧。第一透明导电层配置于第一半导体硅膜层上。第一保护层配置于第一透明导电层上。第一保护层具有多个第一开口以暴露出部分第一透明导电层，且第一保护层的材质为氮化硅。第一金属电极配置于第一保护层的第一开口中。第二半导体硅膜层配置于基板的一第二侧，且第一侧与第二侧相对。第二透明导电层配置于第二半导体硅膜层远离基板的一侧。第二金属电极配置于第二透明导电层远离基板的一侧。

在本发明的一实施例中，上述太阳能电池结构更包括一第二保护层。第二保护层配置于第二透明导电层远离基板的一侧。第二保护层具有多个第二开口以暴露出部分第二透明导电层，其中第二保护层的材质为氮化硅，且第二金属电极位于第二开口中。

在本发明的一实施例中，上述第一半导体硅膜层包括一第一本征半导体层以及一第一掺杂半导体层，且第一本征半导体层位于第一掺杂半导体层与基板之间。具体而言，第二半导体硅膜层例如也包括一第二本征半导体层以及一第二掺杂半导体层，且第二本征半导体层位于第二掺杂半导体层与基板之间。第一掺杂半导体层与第二掺杂半导体层分别为一P型掺杂半导体层以及一N型掺杂半导体层。

在本发明的一实施例中，上述基板为硅基板。

在本发明的一实施例中，上述基板为N型硅基板。

在本发明的一实施例中，上述第一透明导电层与第二透明导电层的材质包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或者是上述至少二者的堆栈层。

在本发明的一实施例中，上述第一金属电极与第二金属电极的材质包括金属、合金、金属氮化物、金属氧化物、金属氮氧化物、或是金属与非金属导电材料的堆栈层。

在本发明的一实施例中，上述第一金属电极的高度至少等于或大于该第一保护层的厚度。

基于上述，本发明的太阳能电池结构中，透明导电层上覆盖有一层氮化硅材质所构成的保护层。透明导电层与保护层的堆栈结构可提供抗反射的作用，而构成多层态样的抗反射涂层(Anti-reflective coating，ARC)。另外，氮化硅材质的保护层可阻绝水气以保护透明导电层。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1绘示为本发明第一实施例的太阳能电池结构示意图。

图2绘示为本发明第二实施例的太阳能电池结构示意图。

其中，附图标记：

100、200：太阳能电池结构

110：基板

112：第一侧

114：第二侧

120：第一半导体硅膜层

122：第一本征半导体层

124：第一掺杂半导体层

130：第一透明导电层

140：第一保护层

142：第一开口

150：第一金属电极

160：第二半导体硅膜层

162：第二本征半导体层

164：第二掺杂半导体层

170：第二透明导电层

180：第二金属电极

190：第二保护层

192：第二开口

t1～t4：高度

具体实施方式