[发明专利]激光加工方法及激光加工装置有效

专利信息
申请号: 201110027035.0 申请日: 2006-09-13
公开(公告)号: CN102172799A 公开(公告)日: 2011-09-07
发明(设计)人: 筬岛哲也;杉浦隆二;渥美一弘 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: B23K26/40 分类号: B23K26/40;B23K26/06;B23K26/073;B28D5/00;H01L21/78;B23K101/40
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 激光 加工 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种激光加工方法,通过使聚光点对准加工对象物的内部并照射激光,而沿着所述加工对象物的切断预定线,在所述加工对象物的内部形成成为切断的起点的改质区域,其特征在于:

对一条所述切断预定线形成多列的所述改质区域的情况下,

在将所述改质区域形成在距所述加工对象物的激光入射面较浅的位置上时,将在聚光点上具有垂直于所述切断预定线的方向的最大长度比平行于所述切断预定线的方向的最大长度短的截面形状的所述激光作为规定的激光进行照射,从而形成所述改质区域,并将该改质区域作为规定的改质区域,

在将所述改质区域形成在距所述激光入射面较深的位置上时,与将所述改质区域形成在距所述激光入射面较浅的位置时相比,将在所述聚光点上具有垂直于所述切断预定线的方向的最大长度较长的截面形状的所述激光进行照射,从而形成所述改质区域。

2.一种激光加工方法,通过使聚光点对准加工对象物的内部并照射激光,而沿着所述加工对象物的切断预定线,在所述加工对象物的内部形成成为切断的起点的改质区域,其特征在于:

将在聚光点上具有垂直于所述切断预定线的方向的最大长度比平行于所述切断预定线的方向的最大长度短的截面形状的规定的激光进行照射,从而形成所述改质区域,并将该改质区域作为规定的改质区域,

在所述聚光点上的所述规定的激光的强度分布成为,在垂直于所述切断预定线的方向上,切掉了高斯分布的两侧的下摆部的分布。

3.如权利要求2所述的激光加工方法,其特征在于,

通过照射所述规定的激光,而对一条所述切断预定线形成多列的所述规定的改质区域。

4.如权利要求1或2所述的激光加工方法,其特征在于,

通过形成所述规定的改质区域,从所述规定的改质区域向所述加工对象物的激光入射面生成沿着所述切断预定线的裂缝。

5.如权利要求1或2所述的激光加工方法,其特征在于,

当在所述加工对象物的内部形成所述改质区域之后,以所述改质区域为切断的起点,沿着所述切断预定线切断所述加工对象物。

6.如权利要求1或2所述的激光加工方法,其特征在于,

所述加工对象物具备半导体基板,所述改质区域包含溶融处理区域。

7.一种激光加工装置,通过使聚光点对准加工对象物的内部并照射激光,而沿着所述加工对象物的切断预定线,在所述加工对象物的内部形成成为切断的起点的改质区域,其特征在于,

具有:

射出所述激光的激光源;

将从所述激光源射出的所述激光,聚光在所述加工对象物的内部的聚光用透镜;和

对于所述聚光点的所述激光的截面形状,使垂直于所述切断预定线的方向的最大长度可变的可变单元,

对一条所述切断预定线形成多列的所述改质区域的情况下,

在将所述改质区域形成在距所述加工对象物的激光入射面较浅的位置上时,将在聚光点上具有垂直于所述切断预定线的方向的最大长度比平行于所述切断预定线的方向的最大长度短的截面形状的所述激光作为规定的激光进行照射,

在将所述改质区域形成在距所述激光入射面较深的位置上时,与将所述改质区域形成在距所述激光入射面较浅的位置时相比,将在所述聚光点上具有垂直于所述切断预定线的方向的最大长度较长的截面形状的所述激光进行照射。

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