[发明专利]“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法有效
| 申请号： | 201110027237.5 | 申请日： | 2011-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN102157903A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 迂修;张宇;王国伟;徐应强;徐云;宋国峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;C30B25/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 型锑化物二类 量子 外延 生长 方法 | ||
1.一种“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法，包括如下步骤：
步骤1：选择一衬底；
步骤2：对该衬底进行脱氧除气处理并观察表面再构；
步骤3：在该衬底上依次生长缓冲层、10个周期的“W”结构二类量子阱有源区和GaSb盖层。
2.根据权利要求1所述的“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法，其中该衬底为GaSb(001)衬底。
3.根据权利要求1所述的“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法，其中该缓冲层的材料为GaSb。
4.根据权利要求1所述的“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法，其中该10个周期的“W”结构二类量子阱有源区的每个周期包括：一Al0.35Ga0.65Sb垒层，在Al0.35Ga0.65Sb垒层上依次生长有InAs电子阱层、InSb过渡层、空穴阱层、InSb过渡层、InAs电子阱层和Al0.35Ga0.65Sb垒层，该InSb过渡层和InSb过渡层形成InSb界面，同时抑制GaAs界面的产生。
5.根据权利要求4所述的“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法，其中空穴阱层包括下GaSb层及在其上依次生长的InSb层和上GaSb层。
6.根据权利要求1所述的“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法，其中所述的脱氧除气处理并观察表面再构，是指脱氧的温度为630℃，再将温度升至660℃除气，15分钟后降至610℃，生长5min的GaSb后降温至490℃观察到再构。
7.根据权利要求5所述的“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法，其中空穴阱层中的下GaSb层、InSb层和上GaSb层的生长时间分别为9s、2s、9s。
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