[发明专利]单晶硅太阳能电池片湿法刻蚀装置无效
| 申请号： | 201110027377.2 | 申请日： | 2011-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN102605372A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 程鹏飞;龚双龙;全余生 | 申请（专利权）人： | 东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/08 | 分类号： | C23F1/08;C30B33/10;H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 夏平 |
| 地址： | 214203 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 太阳能电池 湿法 刻蚀 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶硅太阳能电池片湿法刻蚀装置，其特征是它包括刻蚀槽（1）和多个滚轮（3），刻蚀槽（1）内装有刻蚀液（2），多个滚轮（3）均安装在刻蚀槽（1）内，浸没在刻蚀液（2）中。
2.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池片湿法刻蚀装置，其特征是所述的多个滚轮（3）转动所引起的腐蚀液面的液流方向与单晶硅太阳能电池片（5）在该刻蚀装置中的运动方向相同。
3.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池片湿法刻蚀装置，其特征是所述的多个滚轮（3）的直径均为23-27mm，相邻滚轮（3）之间的轴心距为30-34 mm。
4.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池片湿法刻蚀装置，其特征是所述的多个滚轮（3）的转速均为20～35r／min。
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