[发明专利]制备有机金属化合物的方法无效
| 申请号： | 201110027558.5 | 申请日： | 2011-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN102153569A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | F·J·利派克;D·V·谢奈-卡特哈特;S·G·马罗尔多;R·A·韦尔 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯公司 |
| 主分类号： | C07F3/06 | 分类号： | C07F3/06;C07F5/00;C07F7/02;C07F7/30;C07F7/00;C07F9/28;C07F9/70;C07F9/90;C07F9/94;C07F9/00;C07F11/00;C07F15/00;C23C16/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 樊云飞;周承泽 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 有机 金属 化合物 方法 | ||
1.一种用来制备具有超高纯度的有机金属金属烷基化合物的方法，该方法包括：
在微通道装置中使得金属卤化物溶液与烷基金属溶液反应，制得金属烷基化合物，其中，制得的化合物具有化学气相沉积工艺所需的最低纯度。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化合物的纯度至少为99.99％。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属卤化物包含选自下组的至少一种金属：第II族、第III族、第IV族和第V族。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述金属卤化物包括：ZnCl2，GaCl3，InCl3、InBr3，InI3、GeCl4、SiCl4、SnCl4、PCl3、AsCl3、SbCl3和BiCl3。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述烷基金属溶液包括：三烷基铝、有机卤化镁和有机锂。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：所述反应在存在叔胺、叔膦、或者叔胺与叔膦的混合物的条件下进行。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括对所述烷基金属溶液进行纯化。
8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，使用微通道装置对所述烷基金属溶液进行进一步的纯化。
9.一种制备具有超高纯度的金属烷基化合物的方法，该方法包括在微通道装置中对包含杂质的有机金属化合物进行纯化，从而将相对挥发性(a)满足0.8＜a＜1.5的杂质的含量减小到可以用于电子材料应用的水平。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法包括在微通道装置中对包含杂质的金属烷基化合物进行纯化，从而将相对挥发性(a)满足0.8＜a＜1.5的杂质的含量减小到小于1ppm。
11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法包括采用变温吸附在微通道装置中对包含杂质的金属烷基化合物进行纯化，通过加合物形成来减小杂质的含量。
12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述微通道装置的高度等价理论塔板(HETP)小于5厘米。
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