[发明专利]过电流保护装置及其制备方法

权利要求书

1.一种过电流保护装置，包含：

一导电高分子材料，包含：

一第一结晶型氟化聚合材料，该第一结晶型氟化聚合材料的结晶熔

融温度介于摄氏150至190度之间；

多个第二结晶型氟化聚合物的颗粒，散布于该导电高分子材料内，

所述多个颗粒的结晶熔融温度介于摄氏320至390度之间，且所述多个

颗粒的粒径介于1至50微米间；

一导电填料，散布于该导电高分子材料；以及

一非导电填料，散布于该导电高分子材料。

2.根据权利要求1所述的过电流保护装置，其特征在于，该第一结晶型氟化聚合材料为聚偏二氟乙烯，而该第二结晶型氟化聚合物为聚四氟乙烯。

3.根据权利要求2所述的过电流保护装置，其特征在于，该导电高分子材料包含体积比介于30％至65％的聚偏二氟乙烯。

4.根据权利要求3所述的过电流保护装置，其特征在于，所述多个颗粒是研磨或粉碎聚四氟乙烯材料而制作，或由乳化聚合法或悬浮聚合法所制作。

5.根据权利要求1所述的过电流保护装置，其特征在于，该第一结晶型氟化聚合材料包含两种聚偏二氟乙烯，其中该两种聚偏二氟乙烯各具有不同熔融指数。

6.根据权利要求5所述的过电流保护装置，其特征在于，一该聚偏二氟乙烯的熔融指数介于0.6至18g/10min，而另一该聚偏二氟乙烯的熔融指数介于7至35g/10min。

7.根据权利要求1所述的过电流保护装置，其特征在于，该导电高分子材料包含体积比介于1％至15％的所述多个颗粒。

8.根据权利要求1所述的过电流保护装置，其特征在于，所述多个颗粒的粒径介于3至25微米间。

9.根据权利要求1所述的过电流保护装置，其特征在于，所述多个颗粒的该结晶熔融温度介于摄氏321至335度之间。

10.根据权利要求1所述的过电流保护装置，其特征在于，该导电填料为碳黑、镍粉、碳化钛、碳化钨或其混合物。

11.根据权利要求1所述的过电流保护装置，其特征在于，该导电高分子材料包含体积比介于20％至50％的该导电填料。

12.根据权利要求1所述的过电流保护装置，其特征在于，该非导电填料为氢氧化镁或氢氧化铝。

13.根据权利要求1所述的过电流保护装置，其特征在于，该导电高分子材料包含体积比介于2％至15％的该非导电填料。

14.根据权利要求1所述的过电流保护装置，其特征在于，该导电高分子材料还包含一光交联化合物。

15.根据权利要求1所述的过电流保护装置，其特征在于，该导电高分子材料经过2.5至40Mrad的辐射线照射。

16.根据权利要求1所述的过电流保护装置，其特征在于，该过电流保护装置还包含两金属箔片，其中该导电高分子材料位于该两金属箔片之间。

17.一种过电流保护装置的制备方法，包含下列步骤：

于一温度下，混合第一结晶型氟化聚合材料的粉末、第二结晶型氟化聚合物的粉末、一导电填料和一非导电填料，以获得一导电复合材料，其中该第一结晶型氟化聚合材料的粉末的结晶熔融温度介于摄氏150至190度之间，该第二结晶型氟化聚合物的粉末的结晶熔融温度介于摄氏320至390度之间，而该温度介于该第一结晶型氟化聚合材料粉末的结晶熔融温度与该第二结晶型氟化聚合物粉末的结晶熔融温度之间；以及

于该温度压合该导电复合材料，以获得一导电高分子材料。

18.根据权利要求17所述的过电流保护装置的制备方法，其特征在于，该制备方法还包含下列步骤：

分别压合两金属箔片于导电高分子材料的相对两表面；以及

以2.5至40Mrad的辐射线照射该导电高分子材料。

19.根据权利要求17所述的过电流保护装置的制备方法，其特征在于，该温度为摄氏200度。

20.根据权利要求17所述的过电流保护装置的制备方法，其特征在于，该第一结晶型氟化聚合材料为聚偏二氟乙烯，而该第二结晶型氟化聚合物为聚四氟乙烯。

21.根据权利要求17所述的过电流保护装置的制备方法，其特征在于，该第一结晶型氟化聚合材料的粉末包含两种的聚偏二氟乙烯粉末，其中一该聚偏二氟乙烯粉末的熔融指数介于0.6至18g/10min，而另一该聚偏二氟乙烯粉末的熔融指数介于7至35g/10min。