[发明专利]可关断功率半导体器件阀及其串联式拓扑结构无效

专利信息
申请号: 201110027716.7 申请日: 2011-01-26
公开(公告)号: CN102158064A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 杨雷;傅鹏 申请(专利权)人: 中国科学院等离子体物理研究所
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 230031 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 可关断 功率 半导体器件 及其 串联式 拓扑 结构
【权利要求书】:

1.可关断功率半导体器件阀,包括有电流正向入口、电流反向入口,其特征在于:所述电流正向入口、电流反向入口之间接有相互并联的两个可关断功率半导体器件,其中一个可关断功率半导体器件正向导通,另一个可关断功率半导体器件反向导通,且反向导通的可关断功率半导体器件串接有电容,每个可关断功率半导体器件上还分别各自反向并联有二极管。

2.根据权利要求1所述的可关断功率半导体器件阀,其特征在于:所述正向导通的可关断功率半导体器件有多个,彼此相互并联;反向导通的可关断功率半导体器件有多个,彼此亦相互并联;每个可关断功率半导体器件上分别各自反向并联有二极管。

3.根据权利要求1所述的可关断功率半导体器件阀,其特征在于:所述正向导通的可关断功率半导体器件有多个,彼此相互串联;反向导通的可关断功率半导体器件有多个,彼此亦相互串联;每个可关断功率半导体器件上分别各自反向并联有二极管。

4. 根据权利要求1所述的可关断功率半导体器件阀,其特征在于:所述正向导通的可关断功率半导体器件有多个,均分为相互并联的多组,每组中的正向导通的可关断功率半导体器件彼此相互串联;反向导通的可关断功率半导体器件有多个,亦均分为成相互并联的多组,每组中的反向导通的可关断功率半导体器件彼此相互串联;每个可关断功率半导体器件上分别各自反向并联有二极管。

5.根据权利要求1所述的可关断功率半导体器件阀,其特征在于:所述正向导通的可关断功率半导体器件有多个,构成串并联阵列;反向导通的可关断功率半导体器件有多个,亦构成串并联阵列;每个可关断功率半导体器件上分别各自反向并联有二极管。

6.根据权利要求1所述的可关断功率半导体器件阀,其特征在于:所述电容有多个,彼此相互串联。

7.根据权利要求1所述的串联式可关断功率半导体器件阀,其特征在于:所述电容有多个,均分为相互并联的多组,每组中的多个电容彼此相互串联。

8.根据权利要求1所述的可关断功率半导体器件阀,其特征在于:所述电容有多个,构成串并联阵列。

9.一种串联式可关断功率半导体器件阀拓扑结构,其特征在于:包括有多个可关断功率半导体器件阀,多个可关断功率半导体器件阀的电流正向入口、电流反向入口依次相互连接,构成串联式拓扑结构。

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