[发明专利]集成一个电容的双金属氧化物半导体场效应晶体管

权利要求书

1.一种集成一个电容的双MOS场效应晶体管，其特征在于，双MOS场效应晶体管集成有一个旁路电容，其中：

于一硅片衬底顶面上设置有构成第一晶体管栅极电极的第一栅极金属层及构成第一晶体管漏极电极的漏极金属层，和构成第二晶体管栅极电极的第二栅极金属层及构成第二晶体管源极电极的源极金属层；

硅片衬底顶面上方设置有平行于硅片衬底的包含数个第一类电容极板和数个第二类电容极板的多层电容极板，且在硅片衬底顶面与硅片衬底顶面上方的一块电容极板间以及在相邻的两块电容极板间填充有电介质层；

第一类电容极板和第二类电容极板相互交替间隔配置，且第一类电容极板均与漏极金属层电性连接用于构成所述旁路电容的一个电极，第二类电容极板均与源极金属层电性连接用于构成所述旁路电容的另一个电极。

2.如权利要求1所述的集成一个电容的双MOS场效应晶体管，其特征在于，第一晶体管的源极形成于所述硅片衬底的底面，第一晶体管的漏极、栅极形成于硅片衬底顶面；

第二晶体管的漏极形成于所述硅片衬底的底面，第二晶体管的源极、栅极形成于硅片衬底顶面。

3.如权利要求2所述的集成一个电容的双MOS场效应晶体管，其特征在于，任意一层所述的电容极板所在的层面均在所述第一栅极金属层上方设有一第一层迭栅极金属层；

其中，第一层迭栅极金属层用于与所述第一栅极金属层电性连接以将第一晶体管的栅极导出。

4.如权利要求2所述的集成一个电容的双MOS场效应晶体管，其特征在于，任意一层所述的电容极板所在的层面均在所述第二栅极金属层上方设有一第二层迭栅极金属层；

其中，第二层迭栅极金属层用于与所述第二栅极金属层电性连接以将第二晶体管的栅极导出。

5.如权利要求2所述的集成一个电容的双MOS场效应晶体管，其特征在于，所述漏极金属层设有一第一延伸结构，且任意一层所述的电容极板所在的层面均在所述第一延伸结构上方设有一第一层迭延伸结构；

其中，第一层迭延伸结构用于与所述第一延伸结构电性连接以将第一晶体管漏极导出。

6.如权利要求2所述的集成一个电容的双MOS场效应晶体管，其特征在于，所述源极金属层设有一第二延伸结构，且任意一层所述的电容极板所在的层面均在所述第二延伸结构上方设有一第二层迭延伸结构；

其中，第二层迭延伸结构用于与所述第二延伸结构电性连接以将第二晶体管源极导出。

7.如权利要求5所述的集成一个电容的双MOS场效应晶体管，其特征在于，在相邻第一层迭延伸结构间的电介质层中及在靠近第一延伸结构的第一层迭延伸结构与第一延伸结构间的电介质层中设有多个通孔，并通过注入通孔中的金属将第一层迭延伸结构与第一晶体管的漏极电性连接。

8.如权利要求6所述的集成一个电容的双MOS场效应晶体管，其特征在于，在相邻第二层迭延伸结构间的电介质层中及在靠近第二延伸结构的第二层迭延伸结构与第二延伸结构间的电介质层中设有多个通孔，并通过注入通孔中的金属将第二层迭延伸结构与第二晶体管的源极电性连接。

9.如权利要求1所述的集成一个电容的双MOS场效应晶体管，其特征在于，第一类电容极板与第二类电容极板纵向交错配置，用于在相邻的第二类电容极板间的第一类电容极板所在的层面中设置绝缘于第一类电容极板的第二类连接层；

在第二类电容极板与第二类连接层之间及源极金属层与靠近源极金属层的第二类电容极板之间的电介质层中设置通孔，并通过注入通孔中的金属将第二类电容极板相互电性连接，同时将第二类电容极板与源极金属层电性连接。

10.如权利要求1所述的集成一个电容的双MOS场效应晶体管，其特征在于，第一类电容极板与第二类电容极板纵向交错配置，用于在相邻的第一类电容极板间及第一类电容极板与漏极金属层间的第二类电容极板所在的层面中设置绝缘于第二类电容极板的第一类连接层；

在第一类电容极板与第一类连接层之间及漏极金属层与靠近漏极金属层的第一类连接层之间的电介质层中设置通孔，并通过注入通孔中的金属将第一类电容极板相互电性连接，同时将第一类电容极板与漏极金属层电性连接。

11.如权利要求5所述的集成一个电容的双MOS场效应晶体管，其特征在于，任意一层所述的第一类电容极板均与该层第一类电容极板所在层面的第一层迭延伸结构连接。