[发明专利]采用激光快速加热法制备单晶硅太阳能电池片背面钝化层的工艺

权利要求书

1.一种采用激光快速加热法制备单晶硅太阳能电池片背面钝化层的工艺，其特征是它包括以下步骤：

（a）、在使用等离子体增强化学气相沉积法PECVD在电池片的受光面生长阻挡层之后，在电池片背光面上印刷一层铝浆；

（b）、将印刷有铝浆的电池片进行烘烤，去除铝浆中溶剂；

（c）、用激光照射加热，使铝浆层快速熔化并扩散至电池片基体中，形成P+层。

2.根据权利要求1所述的采用激光快速加热法制备单晶硅太阳能电池片背面钝化层的工艺，其特征是所述的在电池片背光面上印刷的铝浆层的厚度为0.5~2mm。

3.根据权利要求1所述的采用激光快速加热法制备单晶硅太阳能电池片背面钝化层的工艺，其特征是将印刷有铝浆层的电池片放入烘烤炉中进行烘烤，烘烤时间为5~10分钟，烘烤温度为在180~220℃。

4.根据权利要求1所述的采用激光快速加热法制备单晶硅太阳能电池片背面钝化层的工艺，其特征是所述的用激光照射加热铝浆，使其温度在20~40秒内升至1100~1200℃，并在该温度下保持50~80秒，使铝原子扩散至电池片基体中。