[发明专利]连续扩散处理装置无效
申请号: | 201110029173.2 | 申请日: | 2011-01-26 |
公开(公告)号: | CN102299059A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 森川清彦;笠次克尚;西村圭介;芦田忍 | 申请(专利权)人: | 光洋热系统株式会社 |
主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22;C30B31/16 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李雪春;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 连续 扩散 处理 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种连续扩散处理装置。
背景技术
例如,在利用结晶硅的太阳能电池单元制造过程中,需要进行扩散处理,即,使由规定元素构成的杂质附着在硅制的被处理件(晶片)的表面,并使该杂质扩散到被处理件的内部。作为进行所述扩散处理的扩散处理装置,例如有批处理式的。该批处理式装置具备加热被处理件的加热炉,该加热炉的大小只是能够容纳装载多个被处理件的托盘。
在将被处理件送入该加热炉中后,向该加热炉内提供含有杂质的气体,并提高加热炉内温度,使杂质扩散到被处理件的内部。之后,在加热炉内降温后,将被处理件从加热炉取出。
在使用所述批处理式加热炉的情况下,虽然希望能够提高处理质量,但实际上在加热炉内进行扩散处理的时间前后,必须要有将炉内温度提高到规定温度的时间和将炉内温度降低的时间,因此不能连续处理被处理件,从而难以提高生产效率。
所以,如专利文献1所公开的连续扩散处理装置包括:筒状的加热炉;输送器,排列被处理件并在加热炉内输送被处理件;加热装置,对通过加热炉内的被处理件进行加热;以及供给装置,向加热炉内提供含有杂质的气体。
所述输送器具有陶瓷制的环形链条,该环形链条的去路通过加热炉内。利用该环形链条转动,放置有被处理件的输送台通过加热炉内,对所述被处理件连续地进行扩散处理。
专利文献1:日本专利公开公报特开平9-298163号。
按照专利文献1所记载的装置,虽然所述环形链条的去路通过高温且处于含有杂质的气体氛围下的加热炉内部,但由于所述链条是陶瓷制成的,所以即使在高温下也能够保持化学稳定性,因此可以经久耐用。
然而,在加热炉内除设置链条的空间以外,还需要引导该链条的导轨,使得因与被处理件的大小无关的因素而导致加热炉变大。如果加热炉变大,则其内部空间也变宽,因此需要提高所述加热装置的输出,另外,在加热炉的外部周围设置的隔热材料等也会变大,导致装置大型化。
发明内容
鉴于上述问题,本发明的目的在于提供一种连续扩散处理装置,不仅能够对被处理件连续进行扩散处理,而且能够防止加热炉因与被处理件的大小无关的因素而大型化。
本发明的连续扩散处理装置包括:输送台,装载多张板状的被处理件;筒状的加热炉,从送入所述输送台的送入部到送出所述输送台的送出部以直线状延伸;输送装置,将所述输送台从所述送入部向所述加热炉内依次送入,并将已在所述加热炉内输送的所述输送台从所述送出部依次送出;加热装置,对通过所述加热炉内的所述输送台上装载的所述被处理件进行加热;以及供气装置,向所述加热炉内提供用于扩散处理的气体,所述输送装置具有压力驱动部,所述压力驱动部通过推动位于所述送入部的上游的所述输送台,将所述输送台依次送入所述加热炉内,并且,通过所述送入的输送台将先送入的输送台向所述送出部推动,在所述加热炉内成列地输送。
按照本发明,通过对向加热炉内依次送入的输送台上装载的被处理件进行加热,并向加热炉内提供用于扩散处理的气体,能够边输送被处理件边进行扩散处理,使扩散处理能够连续进行。
并且,输送装置的压力驱动部通过推动位于送入部上游的输送台,将所述输送台依次送入加热炉内的同时,利用所述送入的输送台将先送入的输送台向送出部推动,在加热炉内成列输送,所以无需将输送装置的驱动部设置在加热炉内,而可以设置在加热炉外。因此,能够防止加热炉因与被处理件的大小无关的因素而大型化。
此外,所述连续扩散处理装置还包括排气结构部,所述排气结构部设置在所述加热炉的底部,并且在所述排气结构部内部具有将所述加热炉内的气体向所述加热炉外导出的排气流路,所述排气结构部沿着所述输送台的输送方向呈直线配置,沿所述输送方向引导由所述输送装置输送的所述输送台。
在这种情况下,将加热炉内的气体向外部排出的排气结构部也可以作为将输送台沿输送方向引导的引导装置。
此外优选的是,所述连续扩散处理装置还包括多个隔壁构件,所述多个隔壁构件设置在所述加热炉内,将从所述加热炉内的所述送入部到所述送出部之间在输送方向上划分成多个处理区,所述供气装置向被划分成多个的处理区中的特定处理区提供用于进行扩散处理的气体。
在这种情况下,加热炉内被隔壁构件划分为多个处理区,因为对特定的处理区提供用于扩散处理的气体,所以能够精确控制所述特定处理区的氛围,从而能够得到高质量的被处理件。
此外优选的是,由所述压力驱动部推动的所述输送台的压力冲程与所述输送台的长度尺寸基本相等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造