[发明专利]一种聚甲基丙烯酸甲酯微流控芯片的表面修饰方法及微流控涂层芯片和应用无效

专利信息
申请号: 201110029591.1 申请日: 2011-01-27
公开(公告)号: CN102153774A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 寿崇琦;林栋;杨文;刘冰;许林 申请(专利权)人: 济南大学
主分类号: C08J7/12 分类号: C08J7/12;C08J7/04;C08L33/12;G01N33/50
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 李桂存
地址: 250022 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 甲基丙烯酸 甲酯微流控 芯片 表面 修饰 方法 微流控 涂层 应用
【权利要求书】:

1.一种聚甲基丙烯酸甲酯微流控芯片的表面修饰方法,其特征是包括以下步骤:

(1)将聚甲基丙烯酸甲酯微流控芯片的预处理:将聚甲基丙烯酸甲酯微流控芯片用NaOH溶液在惰性气体压力下冲洗,然后依次用去离子水和二甲基乙酰胺冲洗、惰性气体吹干,备用; 

(2)聚甲基丙烯酸甲酯微流控芯片的表面修饰:

a.将超支化聚酰胺酯和催化剂用二甲基乙酰胺配成涂层溶液;

b.将涂层溶液用惰性气体压入微流控芯片的微通道中,保持5-30min,将剩余的涂层溶液用惰性气体缓慢吹出; 

c.将涂覆后的微流控芯片加热至60-100℃,使超支化聚酰胺酯与微流控芯片的微通道充分键合,然后依次用甲醇和去离子水冲洗干净,得聚甲基丙烯酸甲酯微流控涂层芯片。

2.根据权利要求1所述的表面修饰方法,其特征是:所述的超支化聚酰胺酯为具有结构式Ⅰ的第二代超支化聚酰胺酯、具有结构式Ⅱ的第三代超支化聚酰胺酯或具有结构式Ⅲ的第四代超支化聚酰胺酯,结构式Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ如下:

        

 。

3.根据权利要求1所述的表面修饰方法,其特征是:所述催化剂为对甲苯磺酸、浓硫酸或氨基磺酸。

4.根据权利要求3所述的表面修饰方法,其特征是:所述催化剂为对甲苯磺酸。

5.根据权利要求1所述的表面修饰方法,其特征是:步骤(1)中,将聚甲基丙烯酸甲酯微流控芯片用0.5-1mol/L的NaOH溶液在0.2-0.8Mpa的惰性气体压力下冲洗10-60min,然后依次用去离子水和二甲基乙酰胺冲洗用NaOH溶液处理过的微流控芯片各10-30min。

6.根据权利要求1所述的表面修饰方法,其特征是:步骤a中,所述涂层溶液中,超支化聚酰胺酯在二甲基乙酰胺中的质量分数为5%-15%,所加的催化剂的量为超支化聚酰胺酯质量的0.1-0.5%;步骤b中,压入涂层溶液所用惰性气体的压力为0.2-0.8Mpa,吹出涂层溶液所用惰性气体的压力为0.1-0.5Mpa;步骤c中,涂覆后的芯片放入烘箱中,反应6-20h。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的表面修饰方法,其特征是:步骤b中,涂层溶液在微流控芯片的微通道中保持10-15min;步骤c中,将涂覆后的微流控芯片加热至70-80℃。

8.根据权利要求1-6中任一项所述的表面修饰方法,其特征是:所述惰性气体为氮气、氩气或二氧化碳。

9.一种采用权利要求1-6中任一项所述的聚甲基丙烯酸甲酯微流控芯片的表面修饰方法制得的聚甲基丙烯酸甲酯微流控涂层芯片。

10.一种权利要求9所述的聚甲基丙烯酸甲酯微流控涂层芯片的应用。

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