[发明专利]一种基于纳米线器件的耐高压横向双向扩散晶体管

权利要求书

1.一种横向双扩散MOS晶体管，其特征在于，包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区、源端外延区以及漏端S型漂移区，所述沟道区是横向圆柱形硅纳米线结构，上面覆盖一层均匀栅介质，栅介质上层是栅区，栅区和栅介质完全包围沟道区，所述源端外延区位于源区和沟道区之间，所述漏端S型漂移区位于漏区和沟道区之间，漏端S型漂移区呈单个或多个S型结构，S型结构中间填充具有相对介电常数1～4的绝缘材料。

2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，漏端S型漂移区长度为1微米～2微米，S型结构中每个折回尺度为50纳米～100纳米(纵向)×100纳米～200纳米(横向)，S型折回的个数取值范围是1～5。

3.如权利要求2所述的晶体管，其特征在于，漏端S型漂移区的掺杂浓度是1012～10¹⁸cm^-3。

4.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，沟道区不掺杂，其长度取值范围是10纳米～10微米，其半径取值范围是3～5纳米。

5.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，栅介质厚度取值范围是1～2.5纳米，栅区厚度范围是10纳米～5微米。

6.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，源区和漏区上、下表面齐平，采用高浓度掺杂，掺杂浓度取值范围是10²⁰～10²¹cm^-3。

7.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，源端外延区掺杂浓度与源区相同，其长度取值范围是20纳米～100纳米，其掺杂浓度取值范围是10²⁰～10²¹cm^-3。