[发明专利]一种浪涌抑制电路

权利要求书

1.一种浪涌抑制电路，其特征在于包括一电压输入端，一电压输出端，一场效应管，一晶体管、一电容、一第一电阻、一第二电阻及一第三电阻，所述电压输入端分别与所述的场效应管的源极及所述的晶体管的发射极连接，所述的电压输入端还通过所述的第一电阻与所述的场效应管漏极相连，所述的晶体管的集电极连接场效应管的栅极并通过所述的第三电阻接地，所述晶体管的基极通过所述的第二电阻与所述的场效应管漏极相连，所述的场效应管的漏极通过电容接地，所述场效应管的漏极还与所述电压输出端连接。

2.根据权利要求1所述的一种浪涌抑制电路，其特征在于所述晶体管为NPN型晶体管，对应地，所述场效应管为N沟道的功率型MOS管。

3.根据权利要求1所述的一种浪涌抑制电路，其特征在于所述晶体管为PNP型晶体管，对应地，所述场效应管为P沟道的功率型MOS管。

4.根据权利要求1或2或3所述的浪涌抑制电路，其特征在于所述晶体管的基极和发射极并联有电阻。

5.根据权利要求1或2或3所述的浪涌抑制电路，其特征在于所述场效应管栅极和源极之间并联有一稳压管。

6.一种浪涌抑制电路，其特征在于包括一电压输入端，一电压输出端，一第一三极管，一第二三极管、一电容、一第一电阻、一第二电阻及一第三电阻，所述电压输入端分别与所述的第一三极管的发射极及所述的第二三极管的发射极连接，所述的电压输入端还通过所述的第一电阻与所述的第一三极管集电极相连，所述的第二三极管的集电极连接第一三极管的基极并通过所述的第三电阻接地，所述第二三极管的基极通过所述的第二电阻与所述的第一三极管集电极相连，所述的第一三极管的集电极通过电容接地，所述第一三极管的集电极还与所述电压输出端连接。

7.根据权利要求6所述的浪涌抑制电路，其特征在于第一三极管、第二三极管同为NPN型或同为PNP型。

8.一种浪涌抑制电路，其特征在于包括一电压输入端，一电压输出端，一场效应管，一晶体管、一电容、一第一电阻、一第二电阻及一第三电阻，所述的场效应管的源极及所述的晶体管的发射极接入外部电源地线，所述的场效应管漏极经所述的第一电阻接入外部电源地线，所述的晶体管的集电极连接场效应管的栅极并通过所述的第三电阻接电压输入端，所述晶体管的基极通过所述的第二电阻与所述的场效应管漏极相连，所述的场效应管的漏极通过电容与所述电压输出端连接，所述场效应管的漏极还与输出地连接。