[发明专利]原子层沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法

权利要求书

1.一种原子层沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法，其特征在于，通过将基片加热后依次进行多组复合沉积、每组复合沉积由多次ZnO沉积和Al掺杂沉积组成，得到原子层沉积制备的Al掺杂ZnO透明导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的原子层沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法，其特征是，所述的基片为经超声清洗的玻璃。

3.根据权利要求1所述的原子层沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法，其特征是，所述的多次是指10次以上。

4.根据权利要求1所述的原子层沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法，其特征是，所述的多次ZnO沉积是指：在真空环境下依次用二乙基锌和水蒸汽进行沉积得到ZnO，并反复沉积9～29个循环。

5.根据权利要求1或4所述的原子层沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法，其特征是，所述的ZnO沉积是指：将沉积室真空抽至10hPa～16hPa后，向沉积室中引入二乙基锌Zn(CH₂CH₃)₂后，用高纯氮气清洗沉积室并向沉积室中引入水蒸汽，沉积得到单层ZnO，沉积结束后再用高纯氮气清洗沉积室。

6.根据权利要求5所述的原子层沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法，其特征是，所述的二乙基锌、高纯氮气和水蒸汽在沉积室内暴露时间依次为0.1s、3s、0.1s、3s。

7.根据权利要求1所述的原子层沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法，其特征是，所述的Al掺杂沉积是指：在真空环境下用二乙基锌、三甲基铝和水蒸汽进行沉积得到Al掺杂。

8.根据权利要求1所述的原子层沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法，其特征是，所述的Al掺杂沉积是指：将沉积室真空抽至10hPa～16hPa后，向沉积室中引入二乙基锌Zn(CH₂CH₃)₂后，用高纯氮气清洗沉积室并向沉积室中引入三甲基铝Al(CH₃)₃，再用高纯氮气清洗沉积室并向沉积室中引入水蒸汽，从而实现单层Al掺杂沉积，沉积结束最后再用高纯氮气清洗沉积室。

9.根据权利要求8所述的原子层沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法，其特征是，所述的二乙基锌、高纯氮气、三甲基铝和水蒸汽在沉积室内暴露时间依次为0.1s、3s、0.1s、3s、0.1s、3s。

10.一种Al掺杂ZnO透明导电薄膜，其特征在于，根据上述任一权利要求所述方法制备得到。